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Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
12 mΩ
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
3
-
1,49 €
10
7% = 0,11 €
1,38 €
25
11% = 0,16 €
1,33 €
50
13% = 0,20 €
1,29 €
100
15% = 0,23 €
1,26 €
250
18% = 0,27 €
1,22 €
500
21% = 0,31 €
1,18 €
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Nombre
Quantité minimale de commande: 3
Total (1,49 € / unité(s))
4,47 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRF1010E
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
84 A
- UBR DSS
60 V
- Puissance (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
12 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
50 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
3210 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
60 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Description
60 V/81 A
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 162358 Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 162358 Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220