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Infineon Technologies IRF3205ZPBF MOSFET 1 Canal N 170 W TO-220AB
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
170 W
R(DS)(on)
6.5 mΩ
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
1,91 €
10
7% = 0,14 €
1,77 €
25
10% = 0,20 €
1,71 €
50
13% = 0,24 €
1,67 €
100
15% = 0,28 €
1,63 €
250
17% = 0,33 €
1,58 €
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Économiser 0,00 €
Nombre
Total (1,91 € / unité(s))
1,91 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRF3205ZPBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
75 A
- UBR DSS
55 V
- Puissance (max) P(TOT)
170 W
- R(DS)(on)
6.5 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
66 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
110 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
3450 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
55 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Description
55 V/110 A
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 164338 Infineon Technologies IRF3205ZPBF MOSFET 1 Canal N 170 W TO-220AB
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 164338 Infineon Technologies IRF3205ZPBF MOSFET 1 Canal N 170 W TO-220AB