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Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 Canal P 3.8 W TO-263-3
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-263-3
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
3.8 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
1,66 €
10
8% = 0,13 €
1,53 €
25
11% = 0,18 €
1,48 €
50
14% = 0,23 €
1,43 €
100
16% = 0,27 €
1,39 €
250
19% = 0,31 €
1,35 €
500
22% = 0,36 €
1,30 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
Économiser 0,00 €
Nombre
Total (1,66 € / unité(s))
1,66 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET Power, canal p.
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRF5305
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-263-3
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal P
- I(d)
31 A
- UBR DSS
55 V
- Puissance (max) P(TOT)
3.8 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
16 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
63 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
1200 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
55 V
- Canaux
1
- Conforme à la norme RoHS
oui
- Contenu
1 pc(s)
- Description
-55 V/-31A
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 162408 Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 Canal P 3.8 W TO-263-3
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 162408 Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 Canal P 3.8 W TO-263-3