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Conrad

Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 Canal P 3.8 W TO-263-3

Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-263-3
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
3.8 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Fiche technique (PDF)
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Livraison avant le jeu. 29 octobre

575 pièce(s)
Vente et expédition :
Conrad ElectronicCGV

Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
1,66 €
10
8% = 1,30 €
1,53 €
25
11% = 4,50 €
1,48 €
50
14% = 11,50 €
1,43 €
100
16% = 27,00 €
1,39 €
250
19% = 77,50 €
1,35 €
500
22% = 180,00 €
1,30 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs

Nombre
Total (1,66 € / unité(s))
1,66 €
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Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)

Points forts et détails

MOSFET Power, canal p.

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type

IRF5305

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-263-3

Fabricant

Infineon Technologies

Abrév. fab.

INF

Type

Canal P

I(d)

31 A

UBR DSS

55 V

Puissance (max) P(TOT)

3.8 W

R(DS)(on)

60 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

16 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

63 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

1200 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

montage en saillie

Série

HEXFET®

Température de fonctionnement (max.)

+175 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

55 V

Canaux

1

Conforme à la norme RoHS

oui

Contenu

1 pc(s)

Description

-55 V/-31A

Documents et téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 162408 Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 Canal P 3.8 W TO-263-3

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 162408 Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 Canal P 3.8 W TO-263-3

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