Photo non contractuelle
Photo non contractuelle
Infineon Technologies IRFB4227PBF MOSFET 1 Canal N 330 W TO-220AB
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
330 W
R(DS)(on)
24 mΩ
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
3,16 €
10
7% = 0,23 €
2,93 €
25
10% = 0,33 €
2,83 €
50
12% = 0,39 €
2,77 €
100
15% = 0,47 €
2,69 €
250
17% = 0,54 €
2,62 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
Économiser 0,00 €
Nombre
Total (3,16 € / unité(s))
3,16 €
HT
Livraison gratuite avec
Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Points forts et détails
Transistor unipolaire (MOSFET)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRFB4227PBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
65 A
- UBR DSS
200 V
- Puissance (max) P(TOT)
330 W
- R(DS)(on)
24 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
46 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
5 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
98 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
4600 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-40 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
200 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 160940 Infineon Technologies IRFB4227PBF MOSFET 1 Canal N 330 W TO-220AB
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 160940 Infineon Technologies IRFB4227PBF MOSFET 1 Canal N 330 W TO-220AB