Photo non contractuelle
Photo non contractuelle
Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BC849C SOT-23-3 1 NPN
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
Boîtier
SOT-23-3
Type
NPN
Courant du collecteur CI
100 mA
Tension - Collecteur-émetteur max.
30 V
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
50
-
0,05 €
150
20% = 0,01 €
0,04 €
250
40% = 0,02 €
0,03 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
Économiser 0,00 €
Total (0,05 € / unité(s))
0,06 €
-17 %
2,50 €
HT
Livraison gratuite avec
Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Points forts et détails
Transistor NF
- Infineon Technologies BC849C
- Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3
- Contenu: 1 pc(s)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
BC849C
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
SOT-23-3
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Canaux
1
- Type
NPN
- Courant du collecteur CI
100 mA
- Tension - Collecteur-émetteur max.
30 V
- Saturation VCE (max.)
600 mV
- Collecteur courant résiduel I(CES)
15 nA
- Puissance (max) P(TOT)
330 mW
- Gain à courant DC (hFE)
420
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
2 mA
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
5 V
- Fréquence de transition f(T)
250 MHz
- Type de montage
montage en saillie
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 152907 Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BC849C SOT-23-3 1 NPN
Description
Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.