Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BCV47E6327HTSA1 SOT-23 PNP Bande sur bobine complète
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Ref. fabricant :
Code produit :
Type d'emballage
Bande sur bobine complète
Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
Boîtier
SOT-23
Type
PNP
Courant du collecteur CI
0.5 A
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
10
-
0,10961 €
30
9% = 0,01 €
0,09963 €
50
13% = 0,01 €
0,09563 €
100
15% = 0,02 €
0,09297 €
200
18% = 0,02 €
0,08998 €
400
21% = 0,02 €
0,08664 €
1000
24% = 0,03 €
0,08298 €
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Nombre
Quantité minimale de commande: 10
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HT
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Points forts et détails
Transistor CMS Darlington à faible puissance
- Infineon Technologies
- Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23
- Contenu: 1 pc(s)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type d'emballage
Bande sur bobine complète
- Type
BCV47E6327HTSA1
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
SOT-23
- Fabricant
Infineon Technologies
- Type
PNP
- Courant du collecteur CI
0.5 A
- Tension - Collecteur-émetteur max.
30 V
- Puissance (max) P(TOT)
0.36 W
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
4 µA
- Fréquence de transition f(T)
0.2 GHz
- Type de montage
montage en saillie
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3027429 Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BCV47E6327HTSA1 SOT-23 PNP Bande sur bobine complète