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IXYS IXFP7N100P MOSFET 1 Canal N 300 W TO-220AB
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
300 W
R(DS)(on)
1.9 Ω
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
8,33 €
3
6% = 0,48 €
7,85 €
5
8% = 0,67 €
7,66 €
10
10% = 0,80 €
7,53 €
25
11% = 0,95 €
7,38 €
50
13% = 1,10 €
7,23 €
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Nombre
Total (8,33 € / unité(s))
8,33 €
HT
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Points forts et détails
Transistor unipolaire (MOSFET)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IXFP7N100P
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
IXYS
- Abrév. fab.
IXY
- Type
Canal N
- I(d)
7 A
- UBR DSS
1000 V
- Puissance (max) P(TOT)
300 W
- R(DS)(on)
1.9 Ω
- R(DS)(on) Courant de référence
3.5 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
6 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
1 mA
- Q(G)
47 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
2590 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HiPerFET™
PolarP2™
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
1000 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 160790 IXYS IXFP7N100P MOSFET 1 Canal N 300 W TO-220AB
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 160790 IXYS IXFP7N100P MOSFET 1 Canal N 300 W TO-220AB