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Conrad
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Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 Canal N 360 mW SOT-23-3

EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Deux composants électroniques noirs rectangulaires avec des bornes métalliques, probablement des diodes CMS, sur un fond blanc.
Photo non contractuelle
Deux composants électroniques noirs rectangulaires avec des bornes métalliques, probablement des diodes CMS, sur un fond blanc.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOT-23-3
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
6 Ω
ON Semiconductor
Livraison avant le lun. 5 octobre

12147 pièce(s) (Dans la limite des stocks disponibles)
Vente et expédition :
Conrad Electronic CGV

Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
0,15 €
90
13% = 0,02 €
0,13 €
150
20% = 0,03 €
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0,15 €
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Points forts et détails

MOSFET

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type

BSS123

Type de produit

MOSFET

Boîtier

SOT-23-3

Fabricant

ON Semiconductor

Abrév. fab.

OnS

Type

Canal N

I(d)

170 mA

UBR DSS

100 V

Puissance (max) P(TOT)

360 mW

R(DS)(on)

6 Ω

R(DS)(on) Courant de référence

170 mA

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

2 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

1 mA

Q(G)

2.5 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

73 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

montage en saillie

Température de fonctionnement (max.)

+150 °C

Caractéristique du transistor

Porte de niveau logique

U(DSS)

100 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Variantes(Les prix s'entendent HT hors frais de port)

Boîtier
U(GS)(th) max.
R(DS)(on) Courant de référence
R(DS)(on)
U(DSS)
Puissance (max) P(TOT)
Type
C(ISS)
Type de montage
 
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 Canal N 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 Canal N 360 mW SOT-23-3

1263073

 
Ce produit
SOT-23-3
2 V
170 mA
6 Ω
100 V
360 mW
Canal N
73 pF
montage en saillie
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 Canal N 400 mW TO-92-3
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 Canal N 400 mW TO-92-3

1262890

 
TO-92-3
3 V
500 mA
5 Ω
60 V
400 mW
Canal N
50 pF
trou traversant
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3

1262893

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
2 Ω
60 V
350 mW
Canal N
50 pF
montage en saillie
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3

1262896

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
5 Ω
60 V
350 mW
Canal N
50 pF
montage en saillie
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3

1263060

 
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
Canal N
40 pF
trou traversant
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3

1263061

 
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
Canal N
40 pF
trou traversant
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3

1263075

 
SOT-23-3
220 mA
3.5 Ω
50 V
360 mW
27 pF
montage en saillie
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 Canal N 75 W TO-220-3
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 Canal N 75 W TO-220-3

1263085

 
TO-220-3
4 V
15 A
40 mΩ
50 V
75 W
Canal N
2000 pF
trou traversant
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 Canal N 595 W TO-247-3
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 Canal N 595 W TO-247-3

1263216

 
TO-247-3
5 V
38 A
41 mΩ
600 V
595 W
Canal N
14365 pF
trou traversant
ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 Canal N 481 W TO-247-3
ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 Canal N 481 W TO-247-3

1263217

 
TO-247-3
5 V
26 A
72 mΩ
600 V
481 W
Canal N
8660 pF
trou traversant

Documents et téléchargements

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 1263073 ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 Canal N 360 mW SOT-23-3

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