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ON Semiconductor FDP18N50 MOSFET 1 Canal N 235 W TO-220-3
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220-3
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
235 W
R(DS)(on)
265 mΩ
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
5,41 €
5
6% = 0,33 €
5,08 €
10
9% = 0,46 €
4,95 €
25
10% = 0,55 €
4,86 €
50
12% = 0,65 €
4,76 €
100
14% = 0,76 €
4,65 €
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HT
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
FDP18N50
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220-3
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Type
Canal N
- I(d)
18 A
- UBR DSS
500 V
- Puissance (max) P(TOT)
235 W
- R(DS)(on)
265 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
9 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
5 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
60 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
2860 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
UniFET™
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
500 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 1263794 ON Semiconductor FDP18N50 MOSFET 1 Canal N 235 W TO-220-3