Photo non contractuelle
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ON Semiconductor FQPF6N80C MOSFET 1 Canal N 51 W TO-220-3
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220-3
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
51 W
R(DS)(on)
2.5 Ω
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
2,49 €
10
7% = 0,18 €
2,31 €
25
10% = 0,26 €
2,23 €
50
12% = 0,31 €
2,18 €
100
14% = 0,36 €
2,13 €
250
17% = 0,42 €
2,07 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
Économiser 0,00 €
Nombre
Total (2,49 € / unité(s))
2,74 €
-9 %
2,49 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
FQPF6N80C
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220-3
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Type
Canal N
- I(d)
5.5 A
- UBR DSS
800 V
- Puissance (max) P(TOT)
51 W
- R(DS)(on)
2.5 Ω
- R(DS)(on) Courant de référence
2.75 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
5 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
30 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
1310 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
QFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
800 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 1264251 ON Semiconductor FQPF6N80C MOSFET 1 Canal N 51 W TO-220-3