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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret 2N5550TA TO-92-3 1 NPN
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
Boîtier
TO-92-3
Type
NPN
Courant du collecteur CI
600 mA
Tension - Collecteur-émetteur max.
140 V
Fiche technique (PDF)
Nombre
Total (0,06 € / unité(s))
0,06 €
HT
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Points forts et détails
Transistor bipolaire de puissance standard
- ON Semiconductor 2N5550TA
- Type de boîtier (semi-conducteur): TO-92-3
- Contenu: 1 pc(s)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
2N5550TA
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
TO-92-3
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Canaux
1
- Type
NPN
- Courant du collecteur CI
600 mA
- Tension - Collecteur-émetteur max.
140 V
- Saturation VCE (max.)
250 mV
- Collecteur courant résiduel I(CES)
100 nA
- Puissance (max) P(TOT)
625 mW
- Gain à courant DC (hFE)
60
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
10 mA
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
5 V
- Fréquence de transition f(T)
300 MHz
- Type de montage
trou traversant
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 165905 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret 2N5550TA TO-92-3 1 NPN
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 165905 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret 2N5550TA TO-92-3 1 NPN
Description
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