ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJ11015G TO-3 1 PNP - Darlington
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
Boîtier
TO-3
Type
PNP - Darlington
Courant du collecteur CI
-30 A
Tension - Collecteur-émetteur max.
-120 V
Fiche technique (PDF)
Nombre
Total (12,99 € / unité(s))
12,99 €
Prix TTC
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Points forts et détails
Transistor (BJT) - Discret
- ON Semiconductor MJ11015G
- Type de boîtier (semi-conducteur): TO-3
- Contenu: 1 pc(s)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
MJ11015G
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
TO-3
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Canaux
1
- Type
PNP - Darlington
- Courant du collecteur CI
-30 A
- Tension - Collecteur-émetteur max.
-120 V
- Saturation VCE (max.)
-4 V
- Collecteur courant résiduel I(CES)
-1 mA
- Puissance (max) P(TOT)
200 W
- Gain à courant DC (hFE)
1000
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
-20 A
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
-5 V
- Fréquence de transition f(T)
4 MHz
- Type de montage
trou traversant
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 151333 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJ11015G TO-3 1 PNP - Darlington
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 151333 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJ11015G TO-3 1 PNP - Darlington
Description
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