
Photo non contractuelle
Photo non contractuelle
Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Barrière photoélectrique à réflexion
OBT100-R100-EP-IO-0,3M-V3-L
commutation en réception
10 V/DC
30 V/DC
10 - 30 V/DC
300 µs
Antivalent
NPN, fermé
PNP, ouverture
1650 Hz
M8
0.3 m
Polycarbonate
Diode laser
1
680 nm
100 mm
-40 °C
60 °C
11 mm
37.1 mm
21.5 mm
(l x H x P) 11 x 37.1 x 21.5 mm
1 pc(s)
non
oui
Fiche technique 2629337 Pepperl+Fuchs Barrière photoélectrique à réflexion OBT100-R100-EP-IO-0,3M-V3-L 267075-100229 commutation en réception 1
Conseils d'utilisation et de sécurité 2629337 Pepperl+Fuchs Barrière photoélectrique à réflexion OBT100-R100-EP-IO-0,3M-V3-L 267075-100229 commutation en réception 1