1/7
Samsung 990 PRO 4 TB SSD interne NVMe/PCIe M.2 PCIe NVMe 4.0 x4 au détail MZ-V9P4T0BW
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Vous bénéficiez déjà de la meilleure offre pour cette quantité.
Notre offre
SSD 990 PRO NVME TM M.2 - 4 TO
Points forts et détails
- Capacité de la mémoire: 4 TBSSD PCIe 4.0 NVMe pour les jeux haut de gamme pour console et PCVitesse de lecture élevée jusqu'à 7 450 Mo/s et vitesse d'écriture jusqu'à 6 900 Mo/s.50% de puissance par watt améliorée par rapport à 980 PRO (modèle précédent)Protection contre la surchauffe grâce à Heat Spreader et Dynamic Thermal GuardConvient également pour l'édition vidéo et graphiquePrend en charge Direct Storage sur Windows 11
Caractéristiques techniques
- Poids et dimensions
- Largeur : 80 mm
- Profondeur : 2,3 mm
- Hauteur : 22 mm
- Poids : 9 g
- Puissance
- Tension de fonctionnement : 3,3 V
- Consommation (max) : 8,6 W
- Consommation d'énergie (moyenne) : 6,5 W
- Consommation électrique (idle) : 0,055 W
- Conditions environnementales
- Température d'opération : 0 - 70 °C
- Choc durant le fonctionnement : 1500 G
- Informations sur l'emballage
- Largeur du colis : 100 mm
- Profondeur du colis : 145 mm
- Hauteur du colis : 22 mm
- Poids du paquet : 60 g
- Caractéristiques
- Capacité du Solid State Drive (SSD) : 4 To
- Facteur de forme SSD : M.2
- Interface : PCI Express 4.0
- NVMe : Oui
- Type de mémoire : V-NAND TLC
- composant pour : PC/Console de jeux
- Le chiffrement matériel : Oui
- Version NVMe : 2.0
- Algorithme de sécurité soutenu : 256-bit AES
- Taille du SSD M.2 : 2280 (22 x 80 mm)
- Vitesse de lecture : 7450 Mo/s
- Vitesse d'écriture : 6900 Mo/s
- Lecture aléatoire (4KB) : 1600000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB) : 1550000 IOPS
- Flux de données d'interface PCI Express : x4
- Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) : Oui
- Support S.M.A.R.T. : Oui
- Support TRIM : Oui
- Temps moyen entre pannes : 1500000 h
- Fonctions de protection : Résistant à la chaleur
- Type de produit
SSD interne NVMe/PCIe M.2
- Série
990 PRO
- Facteur de forme
Module M.2 2280
- Interfaces
PCIe NVMe 4.0 x4
- Capacité de la mémoire
4 TB
- Lecture
7450 Mo/s
- Écriture (max)
6900 Mo/s
- Vitesse de lecture IOPS (max.)
1400000 IOPS
- Vitesse d'écriture IOPS (max.)
1550000 IOPS
- Spécificités
pour PlayStation 5™
- Hauteur
2.3 mm
- Largeur
22 mm
- Hauteur
2.3 mm
- Profondeur
80 mm
- Modèle
au détail
- Température de fonctionnement (max.)
70 °C
- Température de fonctionnement (min.)
0 °C
- Plage de température de fonctionnement
0 à 70 °C
- Couleur
multicolore
- Disposition du clavier
anglais, QWERTY
- Capacité de charge (max)
7.5 W
- Capacité de charge (min)
2.5 W
- Poids
5
- UKCA
oui
Description
Vitesse explosive pour les jeux intensesDécouvrez les performances puissantes avec PCIe 4.0 et vivez une vitesse rapide pour affronter la concurrence. La régulation thermique intelligente du contrôleur Samsung offre une grande efficacité énergétique avec une vitesse et des performances élevées constantes. Ainsi, le plaisir des jeux n'est plus à la mode.
Ce texte a été traduit par une machine.
Ce texte a été traduit par une machine.
Modèle
- Consommation moyenne (fonctionnement)* Moyenne : 5,4 W * maximum : 7,8 W (mode rafale)* la consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système Puissance absorbée (ralenti)Max. 50 mW * la consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système Tension de fonctionnementTension admissible de 3,3 V ± 5 % Fiabilité (MTBF)1,5 million d'heures de résistance (MTBF) Température de fonctionnementTempérature de fonctionnement de 0 à 70 ℃ Protection contre les chocs1 500 G et 0,5 ms (demi-sinus)