
Photo non contractuelle
Photo non contractuelle
Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
BYG10M-E3/TR
Diode avalanche
Vishay
VIS
1.5 A
1000 V
1.15 V
1.5 A
-55 °C
+150 °C
DO-214AC
montage en saillie
1 µA
1000 V
4 µs
Fiche technique 564934 Vishay Diode avalanche BYG10M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant co
Conseils d'utilisation et de sécurité 564934 Vishay Diode avalanche BYG10M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant co