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Composants actifs Semi-conducteurs Diodes Diode Zener

Vishay Diode avalanche BYG21M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant co

EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Deux pièces rectangulaires en plastique noir avec des éléments blancs ressemblant à des composants techniques.
Photo non contractuelle
Deux pièces rectangulaires en plastique noir avec des éléments blancs ressemblant à des composants techniques.
Photo non contractuelle
Type de produit
Diode avalanche
Courant coupé limité I(F)
1.5 A
Tension de blocage U(R)
1000 V
Tension directe U(F)
1.6 V
Boîtier
DO-214AC
Fiche technique (PDF)
English
Vishay
Livraison avant le lun. 21 septembre

1786 pièce(s) (Dans la limite des stocks disponibles)
Vente et expédition :
Conrad Electronic CGV

Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
0,68 €
10
9% = 0,06 €
0,62 €
25
12% = 0,08 €
0,60 €
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0,58 €
100
16% = 0,11 €
0,57 €
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Points forts et détails

  • Vishay BYG21M-E3/TR
  • Contenu: 1 pc(s)

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type

BYG21M-E3/TR

Type de produit

Diode avalanche

Fabricant

Vishay

Abrév. fab.

VIS

Courant coupé limité I(F)

1.5 A

Tension de blocage U(R)

1000 V

Tension directe U(F)

1.6 V

Tension directe

1.5 A

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Température de fonctionnement (max.)

+150 °C

Boîtier

DO-214AC

Type de montage

montage en saillie

Courant de fuite I(r)

1 µA

Courant inverse I(r) - Référence

1000 V

Temps de recouvrement inverse T(rr)

120 ns

Variantes(Les prix s'entendent HT hors frais de port)

Boîtier
Tension directe U(F)
Courant coupé limité I(F)
Tension de blocage U(R)
Type de montage
 
Vishay Diode avalanche BYG21M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant coupé limité I(F) 1.5 A
Vishay Diode avalanche BYG21M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant coupé limité I(F) 1.5 A

564939

 
Ce produit
DO-214AC
1.6 V
1.5 A
1000 V
montage en saillie
Vishay Diode avalanche BYG10M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant coupé limité I(F) 1.5 A
Vishay Diode avalanche BYG10M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant coupé limité I(F) 1.5 A

564934

 
DO-214AC
1.15 V
1.5 A
1000 V
montage en saillie
Vishay Diode avalanche BYG10Y-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1600 V Courant coupé limité I(F) 1.5 A
Vishay Diode avalanche BYG10Y-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1600 V Courant coupé limité I(F) 1.5 A

564935

 
DO-214AC
1.15 V
1.5 A
1600 V
montage en saillie
Vishay Diode avalanche BYG20J-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 600 V Courant coupé limité I(F) 1.5 A
Vishay Diode avalanche BYG20J-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 600 V Courant coupé limité I(F) 1.5 A

564937

 
DO-214AC
1.4 V
1.5 A
600 V
montage en saillie
Vishay Diode avalanche BYG22D-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 200 V Courant coupé limité I(F) 2 A
Vishay Diode avalanche BYG22D-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 200 V Courant coupé limité I(F) 2 A

564941

 
DO-214AC
1.1 V
2 A
200 V
montage en saillie
Vishay Diode avalanche BYG23M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant coupé limité I(F) 1.5 A
Vishay Diode avalanche BYG23M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant coupé limité I(F) 1.5 A

564943

 
DO-214AC
1.7 V
1.5 A
1000 V
montage en saillie
Vishay Diode avalanche BYV26C-TAP Type de boîtier (semi-conducteur) SOD-57 Tension de blocage U(R) 600 V Courant coupé limité I(F) 1 A
Vishay Diode avalanche BYV26C-TAP Type de boîtier (semi-conducteur) SOD-57 Tension de blocage U(R) 600 V Courant coupé limité I(F) 1 A

564957

 
SOD-57
2.5 V
1 A
600 V
trou traversant
Vishay Diode avalanche BYV26E-TAP Type de boîtier (semi-conducteur) SOD-57 Tension de blocage U(R) 1000 V Courant coupé limité I(F) 1 A
Vishay Diode avalanche BYV26E-TAP Type de boîtier (semi-conducteur) SOD-57 Tension de blocage U(R) 1000 V Courant coupé limité I(F) 1 A

564959

 
SOD-57
2.5 V
1 A
1000 V
trou traversant
Vishay Diode avalanche BYV27-100-TAP Type de boîtier (semi-conducteur) SOD-57 Tension de blocage U(R) 100 V Courant coupé limité I(F) 2 A
Vishay Diode avalanche BYV27-100-TAP Type de boîtier (semi-conducteur) SOD-57 Tension de blocage U(R) 100 V Courant coupé limité I(F) 2 A

564961

 
SOD-57
1.07 V
2 A
100 V
trou traversant
Vishay Diode avalanche BYV28-200-TAP SOD-64 200 V 3.5 A
Vishay Diode avalanche BYV28-200-TAP SOD-64 200 V 3.5 A

564965

 
SOD-64
1.1 V
3.5 A
200 V
trou traversant

Documents et téléchargements

Fiche technique

English

Fiche technique 564939 Vishay Diode avalanche BYG21M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant co

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 564939 Vishay Diode avalanche BYG21M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant co

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