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BYG21M-E3/TR
Diode avalanche
Vishay
VIS
1.5 A
1000 V
1.6 V
1.5 A
-55 °C
+150 °C
DO-214AC
montage en saillie
1 µA
1000 V
120 ns
Fiche technique 564939 Vishay Diode avalanche BYG21M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant co
Conseils d'utilisation et de sécurité 564939 Vishay Diode avalanche BYG21M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant co