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BYV26E-TAP
Diode avalanche
Vishay
VIS
1 A
1000 V
2.5 V
1 A
-55 °C
+175 °C
SOD-57
trou traversant
5 µA
1000 V
75 ns
Fiche technique 564959 Vishay Diode avalanche BYV26E-TAP Type de boîtier (semi-conducteur) SOD-57 Tension de blocage U(R) 1000 V Courant coupé
Conseils d'utilisation et de sécurité 564959 Vishay Diode avalanche BYV26E-TAP Type de boîtier (semi-conducteur) SOD-57 Tension de blocage U(R) 1000 V Courant coupé