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Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 Canal N 1.3 W DIP-4
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
DIP-4
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
1.3 W
R(DS)(on)
540 mΩ
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
5
-
0,48 €
15
10% = 0,05 €
0,43 €
25
13% = 0,06 €
0,42 €
50
15% = 0,07 €
0,41 €
100
17% = 0,08 €
0,40 €
200
21% = 0,10 €
0,38 €
500
23% = 0,11 €
0,37 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
Économiser 0,00 €
Total (0,48 € / unité(s))
0,53 €
-9 %
2,40 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRFD110PBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
DIP-4
- Fabricant
Vishay
- Abrév. fab.
VIS
- Type
Canal N
- I(d)
1 A
- UBR DSS
100 V
- Puissance (max) P(TOT)
1.3 W
- R(DS)(on)
540 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
600 mA
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
8.3 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
180 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
100 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Description
100 V/1 A
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 162582 Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 Canal N 1.3 W DIP-4
Fiche technique 162582 Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 Canal N 1.3 W DIP-4
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 162582 Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 Canal N 1.3 W DIP-4