Vishay SI4477DY-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 6.6 W SOIC-8 Bande sur bobine complète
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type d'emballage
Bande sur bobine complète
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOIC-8
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
6.6 W
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
25
-
1,66 €
75
8% = 0,13 €
1,53 €
125
11% = 0,18 €
1,48 €
250
14% = 0,23 €
1,43 €
500
16% = 0,27 €
1,39 €
1000
19% = 0,31 €
1,35 €
2500
22% = 0,36 €
1,30 €
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Économiser 0,00 €
Nombre
Quantité minimale de commande: 25
Pièce(s): 25
Tape on Full reel
pièce(s) (Contenu : )
pièce(s) (Contenu : )
Total (1,66 € / unité(s))
41,50 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type d'emballage
Bande sur bobine complète
- Type
SI4477DY-T1-GE3
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOIC-8
- Fabricant
Vishay
- Type
Canal P
- I(d)
-26.6 A
- UBR DSS
-20 V
- Puissance (max) P(TOT)
6.6 W
- R(DS)(on)
0.0105 Ω
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Température de fonctionnement (max.)
150 °C
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Hauteur
0.00 mm
- Longueur
0 mm
- Largeur
0.00 mm
- Poids
0
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3026545 Vishay SI4477DY-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 6.6 W SOIC-8 Bande sur bobine complète
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3026545 Vishay SI4477DY-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 6.6 W SOIC-8 Bande sur bobine complète