Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 Canal N, Canal P 1.78 W SOIC-8 Bande sur bobine complète
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type d'emballage
Bande sur bobine complète
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOIC-8
Type
Canal N
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
1.78 W
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
50
-
0,81286 €
150
8% = 0,07 €
0,74743 €
250
11% = 0,09 €
0,72125 €
500
13% = 0,11 €
0,70385 €
1000
16% = 0,13 €
0,68418 €
2000
19% = 0,15 €
0,66240 €
5000
21% = 0,17 €
0,63842 €
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Économiser 0,00 €
Nombre
Quantité minimale de commande: 50
Pièce(s): 50
Tape on Full reel
pièce(s) (Contenu : )
pièce(s) (Contenu : )
Total (0,81286 € / unité(s))
40,64 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET Vishay SMD si_y-GE3 SO
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type d'emballage
Bande sur bobine complète
- Type
SI4532CDY-T1-GE3
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOIC-8
- Fabricant
Vishay
- Type
Canal N
Canal P
- I(d)
6 A
- UBR DSS
30 V
- Puissance (max) P(TOT)
1.78 W
- R(DS)(on)
0.14 Ω
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Température de fonctionnement (max.)
150 °C
- Canaux
2
- Contenu
1 pc(s)
- Hauteur
0.00 mm
- Longueur
0 mm
- Largeur
0.00 mm
- Poids
0
- UKCA
oui
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 Canal N, Canal P 1.78 W SOIC-8 Bande sur bobine complète
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 Canal N, Canal P 1.78 W SOIC-8 Bande sur bobine complète