Vishay SI4559ADY-T1-GE3 MOSFET 2 Canal N, Canal P 2.0 W SOIC-8 Bande sur bobine complète
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type d'emballage
Bande sur bobine complète
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOIC-8
Type
Canal N
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
2.0 W
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
3
-
0,76406 €
9
8% = 0,06 €
0,70255 €
15
11% = 0,09 €
0,67795 €
30
13% = 0,10 €
0,66160 €
60
16% = 0,12 €
0,64311 €
120
19% = 0,14 €
0,62263 €
300
21% = 0,16 €
0,60009 €
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Nombre
Quantité minimale de commande: 3
Tape on Full reel
pièce(s) (Contenu : )
pièce(s) (Contenu : )
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HT
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type d'emballage
Bande sur bobine complète
- Type
SI4559ADY-T1-GE3
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOIC-8
- Fabricant
Vishay
- Type
Canal N
Canal P
- I(d)
5.3 A
- UBR DSS
60 V
- Puissance (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.15 Ω
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Température de fonctionnement (max.)
150 °C
- Canaux
2
- Contenu
1 pc(s)
- Hauteur
0.00 mm
- Longueur
0 mm
- Largeur
0.00 mm
- Poids
0
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3026482 Vishay SI4559ADY-T1-GE3 MOSFET 2 Canal N, Canal P 2.0 W SOIC-8 Bande sur bobine complète
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3026482 Vishay SI4559ADY-T1-GE3 MOSFET 2 Canal N, Canal P 2.0 W SOIC-8 Bande sur bobine complète