Vishay SI4850EY-T1-GE3 MOSFET 1 Canal N 1.7 W SOIC-8 Bande sur bobine complète
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type d'emballage
Bande sur bobine complète
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOIC-8
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
1.7 W
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
50
-
1,24 €
150
8% = 0,10 €
1,14 €
250
11% = 0,14 €
1,10 €
500
13% = 0,16 €
1,08 €
1000
16% = 0,20 €
1,04 €
2000
19% = 0,23 €
1,01 €
5000
21% = 0,26 €
0,98 €
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Économiser 0,00 €
Nombre
Quantité minimale de commande: 50
Pièce(s): 50
Tape on Full reel
pièce(s) (Contenu : )
pièce(s) (Contenu : )
Total (1,24 € / unité(s))
62,00 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type d'emballage
Bande sur bobine complète
- Type
SI4850EY-T1-GE3
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOIC-8
- Fabricant
Vishay
- Type
Canal N
- I(d)
6 A
- UBR DSS
60 V
- Puissance (max) P(TOT)
1.7 W
- R(DS)(on)
0.031 Ω
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Température de fonctionnement (max.)
175 °C
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Hauteur
0.00 mm
- Longueur
0 mm
- Largeur
0.00 mm
- Poids
0
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3026548 Vishay SI4850EY-T1-GE3 MOSFET 1 Canal N 1.7 W SOIC-8 Bande sur bobine complète
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3026548 Vishay SI4850EY-T1-GE3 MOSFET 1 Canal N 1.7 W SOIC-8 Bande sur bobine complète