Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 Canal P 2.0 W SOIC-8 Bande sur bobine complète
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type d'emballage
Bande sur bobine complète
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOIC-8
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
2.0 W
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
50
-
0,59313 €
150
8% = 0,05 €
0,54538 €
250
11% = 0,07 €
0,52628 €
500
13% = 0,08 €
0,51359 €
1000
16% = 0,09 €
0,49924 €
2000
19% = 0,11 €
0,48334 €
5000
21% = 0,13 €
0,46585 €
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Économiser 0,00 €
Nombre
Quantité minimale de commande: 50
Pièce(s): 50
Tape on Full reel
pièce(s) (Contenu : )
pièce(s) (Contenu : )
Total (0,59313 € / unité(s))
29,66 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type d'emballage
Bande sur bobine complète
- Type
SI9933CDY-T1-GE3
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOIC-8
- Fabricant
Vishay
- Type
Canal P
- Puissance (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.094 Ω
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Température de fonctionnement (max.)
175 °C
- Canaux
2
- Contenu
1 pc(s)
- Hauteur
0.00 mm
- Longueur
0 mm
- Largeur
0.00 mm
- Poids
0
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3026554 Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 Canal P 2.0 W SOIC-8 Bande sur bobine complète
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3026554 Vishay SI9933CDY-T1-GE3 MOSFET 2 Canal P 2.0 W SOIC-8 Bande sur bobine complète