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Type de produit
Transistor (BJT) - Discret368
Transistor MOSFET62
Transistor digital22
Transistor HF (BJT)8
Transistor bipolaire (BJT) - Matrice6
Jeu de transistors3
MOSFET1
Transistor bipolaire (BJT) - Matrice, prépolarisé1
Vendeur
Conrad Electronic SE
Prix
€ - €
Marque
ON Semiconductor138
Diotec90
Infineon Technologies67
Nexperia58
STMicroelectronics58
DIODES Incorporated21
MCC14
TRU COMPONENTS12
Taiwan Semiconductor7
NXP Semiconductors2
Whadda2
Central Semiconductor corp.1
Toshiba1
Tension - Collecteur-émetteur max.
V - V
-45 V31
-80 V13
-100 V11
-60 V9
-30 V8
-65 V5
-300 V4
-40 V3
-120 V1
-140 V1
-20 V1
-250 V1
-50 V1
2.3 V1
2.5 V1
4.5 V2
5 V1
5.5 V1
12 V5
15 V1
16 V1
20 V2
25 V5
30 V25
32 V13
40 V17
45 V64
50 V28
60 V18
65 V16
80 V38
90 V1
100 V20
120 V1
125 V1
140 V2
150 V5
160 V3
200 V1
250 V6
300 V5
400 V8
450 V4
Puissance (max) P(TOT)
W - W
0.125 W1
160 mW1
0.185 W1
0.20 W8
0.2 W6
200 mW1
0.21 W1
0.225 W25
225 mW1
250 mW23
0.25 W18
300 mW2
0.3 W1
0.31 W4
0.33 W17
330 mW12
0.35 W2
350 mW1
360 mW3
0.36 W2
400 mW1
500 mW35
0.5 W19
0.58 W1
580 mW1
0.625 W30
625 mW24
650 mW2
0.7 W1
700 mW1
0.8 W1
960 mW3
1 W8
1.1 W2
1.25 W15
1.3 W6
1.35 W2
1.5 W4
2 W19
2.25 W1
5 W1
12.5 W1
15 W1
20 W1
20.8 W2
36 W7
40 W12
50 W5
60 W5
65 W2
70 W3
75 W5
80 W7
90 W6
125 W8
150 W5
160 W3
200 W3
250 W4
Boîtier
SOT-23106
TO-9266
TO-92-333
TO-220AB26
SOT-22322
SOT-23-317
TO-22015
SOT-32-312
SOT-89-312
TO-92BK10
TO-2479
SOT-327
TO-247-37
SOT-3236
TO-36
SOT-3435
TO-1265
DIP-164
SOT-223-44
TO-220-34
TO-225AA4
SOT-893
TO-236-33
SOT-3632
TO-204AA2
TO-220-FULLPAK2
TO-252AA2
DIP-181
SC-82A1
SOIC-81
SOT-343F1
TO-126-31
TO-181
TO-226-31
TO-2641
TSSOP-61
Courant du collecteur CI
Type de montage
Type
Type d'emballage
Certifications
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Transistors

471 Résultats

 
Détails
Prix
Disponibilité
Boîtier
Courant du collecteur CI
Tension - Collecteur-émetteur max.
Puissance (max) P(TOT)
Type de montage
Certifications
Type
Type d'emballage
Diotec Transistor (BJT) - Discret BC547B TO-92 1 NPN
Similaire à la photo

Diotec Transistor (BJT) - Discret BC547B TO-92 1 NPN

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,03-
350+0,0233% = 3,50 €
10,03-
3500,0233% = 3,50 €
Prix HT
13534 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 70
TO-92
100 mA
45 V
500 mW
trou traversant
RoHS
NPN
-
Central Semiconductor corp. Transistor (BJT) - Discret 2N2222A TO-18 1 NPN
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Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
13,16-
102,937% = 2,30 €
25+2,8310% = 8,25 €
13,16-
102,937% = 2,30 €
252,8310% = 8,25 €
502,7712% = 19,50 €
1002,6915% = 47,00 €
2502,6217% = 135,00 €
Prix HT
337 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
TO-18
800 mA
40 V
500 mW
trou traversant
-
NPN
-
Diotec Transistor (BJT) - Discret BC327-40BK TO-92 1 PNP
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Diotec Transistor (BJT) - Discret BC327-40BK TO-92 1 PNP

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,04-
2500,0325% = 2,50 €
500+0,0250% = 10,00 €
10,04-
2500,0325% = 2,50 €
5000,0250% = 10,00 €
Prix HT
2033 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 50
TO-92
-800 mA
-45 V
625 mW
trou traversant
RoHS
PNP
-
Diotec Transistor (BJT) - Discret BC547C TO-92-3 1 NPN
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Diotec Transistor (BJT) - Discret BC547C TO-92-3 1 NPN

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,03-
500+0,0233% = 5,00 €
10,03-
5000,0233% = 5,00 €
Prix HT
19753 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 100
TO-92-3
100 mA
45 V
500 mW
trou traversant
RoHS
NPN
-
Diotec Transistor (BJT) - Discret BC548C TO-92 1 NPN
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Diotec Transistor (BJT) - Discret BC548C TO-92 1 NPN

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,03-
125+0,0233% = 1,25 €
10,03-
1250,0233% = 1,25 €
Prix HT
13988 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 25
TO-92
100 mA
30 V
500 mW
trou traversant
RoHS
NPN
-
Diotec Transistor (BJT) - Discret MMBT3904 SOT-23  NPN
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Diotec Transistor (BJT) - Discret MMBT3904 SOT-23 NPN

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,03-
750+0,0233% = 7,50 €
10,03-
7500,0233% = 7,50 €
Prix HT
985 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 150
SOT-23
200 mA
40 V
0.35 W
montage en saillie
RoHS
NPN
-
Diotec Transistor (BJT) - Discret BC807-25 SOT-23  PNP
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Diotec Transistor (BJT) - Discret BC807-25 SOT-23 PNP

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,03-
500+0,0233% = 5,00 €
10,03-
5000,0233% = 5,00 €
Prix HT
930 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 100
SOT-23
800 mA
45 V
0.31 W
montage en saillie
RoHS
PNP
-
ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC550CG TO-92-3 1 NPN
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC550CG TO-92-3 1 NPN

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,79-
90,738% = 0,54 €
15+0,7011% = 1,35 €
10,79-
90,738% = 0,54 €
150,7011% = 1,35 €
300,6814% = 3,30 €
600,6715% = 7,20 €
1200,6419% = 18,00 €
3000,6320% = 48,00 €
Prix HT
831 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 3
TO-92-3
100 mA
45 V
625 mW
trou traversant
-
NPN
-
Diotec Transistor (BJT) - Discret BC547A TO-92 1 NPN
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Diotec Transistor (BJT) - Discret BC547A TO-92 1 NPN

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,03-
250+0,0233% = 2,50 €
10,03-
2500,0233% = 2,50 €
Prix HT
8908 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 50
TO-92
100 mA
45 V
500 mW
trou traversant
RoHS
NPN
-
STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP31C TO-220AB 1 NPN
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STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP31C TO-220AB 1 NPN

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,58-
150,539% = 0,75 €
25+0,5210% = 1,50 €
10,58-
150,539% = 0,75 €
250,5210% = 1,50 €
500,5112% = 3,50 €
1000,4916% = 9,00 €
2000,4817% = 20,00 €
5000,4621% = 60,00 €
Prix HT
453 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
TO-220AB
3 A
100 V
2 W
trou traversant
-
NPN
-
Taiwan Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MMBT3904 RFG SOT-23   Bande sur bobine complète

Taiwan Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MMBT3904 RFG SOT-23 Bande sur bobine complète

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,03-
350+0,0233% = 3,50 €
10,03-
3500,0233% = 3,50 €
Prix HT
240 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 70
SOT-23
-
-
-
montage sur circuit imprimé
RoHS
-
Bande sur bobine complète
ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret 2N4403BU TO-92-3 1 PNP
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret 2N4403BU TO-92-3 1 PNP

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,16-
600,1413% = 1,20 €
100+0,1319% = 3,00 €
10,16-
600,1413% = 1,20 €
1000,1319% = 3,00 €
2000,1225% = 8,00 €
Prix HT
54 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 20
TO-92-3
-600 mA
-40 V
625 mW
trou traversant
-
PNP
-
ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC33725BU TO-92-3 1 NPN
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC33725BU TO-92-3 1 NPN

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,27-
450,2411% = 1,35 €
75+0,2315% = 3,00 €
10,27-
450,2411% = 1,35 €
750,2315% = 3,00 €
1500,2219% = 7,50 €
3000,2122% = 18,00 €
6000,2026% = 42,00 €
15000,1930% = 120,00 €
Prix HT
88 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 15
TO-92-3
800 mA
45 V
625 mW
trou traversant
-
NPN
-
Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BCV26 SOT-23-3 1 PNP - Darlington Tape cut
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Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,26-
600,2312% = 1,80 €
100+0,2215% = 4,00 €
10,26-
600,2312% = 1,80 €
1000,2215% = 4,00 €
2000,2119% = 10,00 €
4000,2023% = 24,00 €
Prix HT
5785 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
SOT-23-3
-500 mA
-30 V
360 mW
montage en saillie
-
PNP - Darlington
Tape cut
STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP36C TO-247-3 1 PNP

STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP36C TO-247-3 1 PNP

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
11,91-
101,777% = 1,40 €
25+1,7110% = 5,00 €
11,91-
101,777% = 1,40 €
251,7110% = 5,00 €
501,6713% = 12,00 €
1001,6315% = 28,00 €
2501,5817% = 82,50 €
Prix HT
66 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
TO-247-3
-25 A
-100 V
125 W
trou traversant
-
PNP
-
Diotec Transistor (BJT) - Discret 2N2222A TO-92  NPN
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Diotec Transistor (BJT) - Discret 2N2222A TO-92 NPN

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,04-
5000,0325% = 5,00 €
1000+0,0250% = 20,00 €
10,04-
5000,0325% = 5,00 €
10000,0250% = 20,00 €
Prix HT
9214 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 100
TO-92
600 mA
40 V
0.625 W
montage à plat
RoHS
NPN
-
STMicroelectronics Transistor bipolaire (BJT) - Matrice ULN2003A DIP-16 7 NPN - Darlington
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Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,33-
150,309% = 0,45 €
25+0,2912% = 1,00 €
10,33-
150,309% = 0,45 €
250,2912% = 1,00 €
500,2815% = 2,50 €
1000,2718% = 6,00 €
2000,2621% = 14,00 €
5000,2524% = 40,00 €
Prix HT
Bientôt disponible
Min: 5
DIP-16
500 mA
50 V
-
trou traversant
-
NPN - Darlington
-
Diotec Transistor (BJT) - Discret BC337-40 TO-92-3 1 NPN
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Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,04-
3500,0325% = 3,50 €
700+0,0250% = 14,00 €
10,04-
3500,0325% = 3,50 €
7000,0250% = 14,00 €
Prix HT
5536 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 70
TO-92-3
800 mA
45 V
625 mW
trou traversant
RoHS
NPN
-
STMicroelectronics Transistor bipolaire (BJT) - Matrice ULN2803A DIP-18 8 NPN - Darlington

STMicroelectronics Transistor bipolaire (BJT) - Matrice ULN2803A DIP-18 8 NPN - Darlington

Conrad Electronic
1,24 €
Prix HT
11745 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
DIP-18
500 mA
50 V
2.25 W
trou traversant
-
NPN - Darlington
-
STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP122 TO-220AB 1 NPN - Darlington
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Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
11,08-
90,998% = 0,81 €
15+0,9512% = 1,95 €
11,08-
90,998% = 0,81 €
150,9512% = 1,95 €
300,9314% = 4,50 €
600,9116% = 10,20 €
1200,8819% = 24,00 €
3000,8422% = 72,00 €
Prix HT
474 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 3
TO-220AB
5 A
100 V
2 W
trou traversant
-
NPN - Darlington
-
Diotec Transistor (BJT) - Discret BC556B TO-92 1 PNP
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Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,03-
250+0,0233% = 2,50 €
10,03-
2500,0233% = 2,50 €
Prix HT
9200 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 50
TO-92
-100 mA
-65 V
500 mW
trou traversant
RoHS
PNP
-
ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD139 TO-225AA 1 NPN

ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD139 TO-225AA 1 NPN

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
11,24-
91,148% = 0,90 €
15+1,1011% = 2,10 €
11,24-
91,148% = 0,90 €
151,1011% = 2,10 €
301,0813% = 4,80 €
601,0416% = 12,00 €
1201,0119% = 27,60 €
3000,9821% = 78,00 €
Prix HT
131 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 3
TO-225AA
1.5 A
80 V
1.25 W
trou traversant
-
NPN
-
STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP32C TO-220AB 1 PNP
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STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP32C TO-220AB 1 PNP

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
11,24-
91,148% = 0,90 €
15+1,1011% = 2,10 €
11,24-
91,148% = 0,90 €
151,1011% = 2,10 €
301,0813% = 4,80 €
601,0416% = 12,00 €
1201,0119% = 27,60 €
3000,9821% = 78,00 €
Prix HT
948 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 3
TO-220AB
-3 A
-100 V
2 W
trou traversant
-
PNP
-
ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC33740TA TO-92-3 1 NPN
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Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,17-
600,1512% = 1,20 €
100+0,1418% = 3,00 €
10,17-
600,1512% = 1,20 €
1000,1418% = 3,00 €
2000,1324% = 8,00 €
4000,1229% = 20,00 €
Prix HT
2717 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 20
TO-92-3
800 mA
45 V
625 mW
trou traversant
-
NPN
-
ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC546BTA TO-92-3 1 NPN
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC546BTA TO-92-3 1 NPN

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,18-
450,1611% = 0,90 €
75+0,1517% = 2,25 €
10,18-
450,1611% = 0,90 €
750,1517% = 2,25 €
1500,1422% = 6,00 €
3000,1328% = 15,00 €
Prix HT
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Min: 15
TO-92-3
100 mA
65 V
500 mW
trou traversant
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NPN
-
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PiècePrix €Économie
10,04-
5000,0325% = 5,00 €
1000+0,0250% = 20,00 €
10,04-
5000,0325% = 5,00 €
10000,0250% = 20,00 €
Prix HT
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Min: 100
TO-92
800 mA
45 V
0.625 W
montage à plat
RoHS
PNP
-
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10,21-
500,1910% = 1,00 €
100+0,1814% = 3,00 €
10,21-
500,1910% = 1,00 €
1000,1814% = 3,00 €
2500,1719% = 10,00 €
Prix HT
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TO-92-3
100 mA
45 V
500 mW
trou traversant
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-
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10,03-
100+0,0233% = 1,00 €
10,03-
1000,0233% = 1,00 €
Prix HT
3848 pièces en stock
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Min: 20
TO-92
100 mA
45 V
500 mW
trou traversant
RoHS
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-
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PiècePrix €Économie
10,54-
210,507% = 0,84 €
35+0,4811% = 2,10 €
10,54-
210,507% = 0,84 €
350,4811% = 2,10 €
700,4713% = 4,90 €
1400,4615% = 11,20 €
2800,4419% = 28,00 €
7000,4320% = 77,00 €
Prix HT
54 pièces en stock
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Min: 7
TO-220AB
-3 A
-100 V
2 W
trou traversant
-
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PiècePrix €Économie
10,13-
600,13-
100+0,128% = 1,00 €
10,13-
600,13-
1000,128% = 1,00 €
2000,1115% = 4,00 €
4000,1023% = 12,00 €
Prix HT
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Min: 20
TO-92-3
200 mA
40 V
625 mW
trou traversant
RoHS
NPN
-
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PiècePrix €Économie
10,21-
450,1910% = 0,90 €
75+0,1814% = 2,25 €
10,21-
450,1910% = 0,90 €
750,1814% = 2,25 €
1500,1719% = 6,00 €
Prix HT
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Min: 15
TO-92-3
800 mA
45 V
625 mW
trou traversant
-
NPN
-
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PiècePrix €Économie
10,06-
900,0517% = 0,90 €
150+0,0433% = 3,00 €
10,06-
900,0517% = 0,90 €
1500,0433% = 3,00 €
Prix HT
1268 pièces en stock
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Min: 30
TO-92
-800 mA
-300 V
625 mW
trou traversant
RoHS
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-
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10,09-
900,0811% = 0,90 €
150+0,0722% = 3,00 €
10,09-
900,0811% = 0,90 €
1500,0722% = 3,00 €
Prix HT
5392 pièces en stock
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Min: 30
TO-92-3
-200 mA
-40 V
625 mW
trou traversant
-
PNP
-
ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC32725BU TO-92  PNP Bulk

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PiècePrix €Économie
10,27048-
300,245839% = 0,74 €
50+0,2359913% = 1,72 €
10,27048-
300,245839% = 0,74 €
500,2359913% = 1,72 €
1000,2294215% = 4,11 €
2000,2220318% = 9,69 €
4000,2138121% = 22,67 €
10000,2047824% = 65,70 €
Prix HT
43 pièces en stock
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Min: 10
TO-92
-0.8 A
-45 V
0.625 W
trou traversant
-
PNP
Bulk
STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret BD140 SOT-32-3 1 PNP

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PiècePrix €Économie
10,25-
300,238% = 0,60 €
50+0,2212% = 1,50 €
10,25-
300,238% = 0,60 €
500,2212% = 1,50 €
1000,2116% = 4,00 €
2000,2020% = 10,00 €
4000,1924% = 24,00 €
10000,1828% = 70,00 €
Prix HT
1166 pièces en stock
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SOT-32-3
-1.5 A
-80 V
1.25 W
trou traversant
-
PNP
-
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PiècePrix €Économie
10,06-
900,0517% = 0,90 €
150+0,0433% = 3,00 €
10,06-
900,0517% = 0,90 €
1500,0433% = 3,00 €
Prix HT
6595 pièces en stock
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Min: 30
TO-92
500 mA
300 V
625 mW
trou traversant
RoHS
NPN
-
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-8%
PiècePrix €Économie
19,16-
38,636% = 1,59 €
5+8,438% = 3,65 €
19,16-
38,636% = 1,59 €
58,438% = 3,65 €
108,2810% = 8,80 €
258,1311% = 25,75 €
507,9513% = 60,50 €
Prix HT
51 pièces en stock
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TO-3
20 A
100 V
160 W
trou traversant
-
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-
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PiècePrix €Économie
10,03-
500+0,0233% = 5,00 €
10,03-
5000,0233% = 5,00 €
Prix HT
8189 pièces en stock
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Min: 100
TO-92
200 mA
40 V
0.625 W
montage à plat
RoHS
NPN
-
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PiècePrix €Économie
11,66-
101,538% = 1,30 €
25+1,4811% = 4,50 €
11,66-
101,538% = 1,30 €
251,4811% = 4,50 €
501,4314% = 11,50 €
1001,3916% = 27,00 €
2501,3519% = 77,50 €
5001,3022% = 180,00 €
Prix HT
55 pièces en stock
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TO-220AB
5 A
450 V
75 W
trou traversant
-
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PiècePrix €Économie
10,73-
150,678% = 0,90 €
25+0,6412% = 2,25 €
10,73-
150,678% = 0,90 €
250,6412% = 2,25 €
500,6314% = 5,00 €
1000,6116% = 12,00 €
2000,5919% = 28,00 €
5000,5722% = 80,00 €
Prix HT
12850 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 5
TO-126-3
1.5 A
60 V
1.25 W
trou traversant
-
NPN
-
STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret BD138 SOT-32 1 PNP

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PiècePrix €Économie
10,26-
210,2312% = 0,63 €
35+0,2215% = 1,40 €
10,26-
210,2312% = 0,63 €
350,2215% = 1,40 €
700,2119% = 3,50 €
1400,2023% = 8,40 €
Prix HT
388 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 7
SOT-32
-1.5 A
-60 V
12.5 W
montage en saillie
-
PNP
-
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PiècePrix €Économie
10,38-
210,3411% = 0,84 €
35+0,3313% = 1,75 €
10,38-
210,3411% = 0,84 €
350,3313% = 1,75 €
700,3216% = 4,20 €
1400,3118% = 9,80 €
2800,3021% = 22,40 €
7000,2826% = 70,00 €
Prix HT
90 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 7
SOT-32-3
4 A
80 V
40 W
trou traversant
-
NPN - Darlington
-
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PiècePrix €Économie
12,33-
102,158% = 1,80 €
25+2,0811% = 6,25 €
12,33-
102,158% = 1,80 €
252,0811% = 6,25 €
502,0313% = 15,00 €
1001,9815% = 35,00 €
2501,9317% = 100,00 €
Prix HT
530 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
TO-247-3
10 A
100 V
125 W
trou traversant
-
NPN - Darlington
-
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PiècePrix €Économie
16,66-
56,256% = 2,05 €
10+6,099% = 5,70 €
16,66-
56,256% = 2,05 €
106,099% = 5,70 €
255,9810% = 17,00 €
505,8612% = 40,00 €
1005,7314% = 93,00 €
Prix HT
13 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
TO-3
30 A
90 V
200 W
trou traversant
-
NPN
-
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PiècePrix €Économie
10,04-
5000,0325% = 5,00 €
1000+0,0250% = 20,00 €
10,04-
5000,0325% = 5,00 €
10000,0250% = 20,00 €
Prix HT
6301 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 100
TO-92
600 mA
60 V
0.625 W
montage à plat
RoHS
PNP
-
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PiècePrix €Économie
111,66-
311,025% = 1,92 €
5+10,768% = 4,50 €
111,66-
311,025% = 1,92 €
510,768% = 4,50 €
1010,589% = 10,80 €
2510,3911% = 31,75 €
5010,1813% = 74,00 €
Prix HT
104 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
TO-3
30 A
120 V
200 W
trou traversant
-
NPN - Darlington
-
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PiècePrix €Économie
10,13-
600,13-
100+0,128% = 1,00 €
10,13-
600,13-
1000,128% = 1,00 €
2000,1115% = 4,00 €
4000,1023% = 12,00 €
Prix HT
809 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 20
TO-92-3
200 mA
40 V
625 mW
trou traversant
RoHS
NPN
-
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PiècePrix €Économie
10,03-
250+0,0233% = 2,50 €
10,03-
2500,0233% = 2,50 €
Prix HT
3657 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 50
TO-92
-100 mA
-45 V
500 mW
trou traversant
RoHS
PNP
-
ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJ11015G TO-3 1 PNP - Darlington

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-8%
PiècePrix €Économie
19,99-
39,426% = 1,71 €
5+9,198% = 4,00 €
19,99-
39,426% = 1,71 €
59,198% = 4,00 €
109,0310% = 9,60 €
258,8711% = 28,00 €
508,6813% = 65,50 €
Prix HT
55 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
TO-3
-30 A
-120 V
200 W
trou traversant
-
PNP - Darlington
-
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PiècePrix €Économie
10,04-
2500,0325% = 2,50 €
500+0,0250% = 10,00 €
10,04-
2500,0325% = 2,50 €
5000,0250% = 10,00 €
Prix HT
7000 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 50
TO-92
800 mA
45 V
625 mW
trou traversant
RoHS
NPN
-
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PiècePrix €Économie
10,06-
3000,0517% = 3,00 €
500+0,0433% = 10,00 €
10,06-
3000,0517% = 3,00 €
5000,0433% = 10,00 €
Prix HT
2705 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 100
TO-92
500 mA
80 V
0.625 W
montage à plat
RoHS
PNP
-
Diotec Transistor (BJT) - Discret 2N3906 TO-92  PNP
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PiècePrix €Économie
10,03-
500+0,0233% = 5,00 €
10,03-
5000,0233% = 5,00 €
Prix HT
3233 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 100
TO-92
200 mA
40 V
0.625 W
montage à plat
RoHS
PNP
-
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-8%
PiècePrix €Économie
19,16-
38,636% = 1,59 €
5+8,438% = 3,65 €
19,16-
38,636% = 1,59 €
58,438% = 3,65 €
108,2810% = 8,80 €
258,1311% = 25,75 €
507,9513% = 60,50 €
Prix HT
50 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
TO-3
20 A
140 V
250 W
trou traversant
-
NPN
-
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PiècePrix €Économie
10,05-
450,0420% = 0,45 €
75+0,0340% = 1,50 €
10,05-
450,0420% = 0,45 €
750,0340% = 1,50 €
Prix HT
1916 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 15
TO-92-3
100 mA
45 V
500 mW
trou traversant
-
NPN
-
TRU COMPONENTS VK-84524 Jeu de transistors

TRU COMPONENTS VK-84524 Jeu de transistors

Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
113,33-
312,596% = 2,22 €
5+12,298% = 5,20 €
113,33-
312,596% = 2,22 €
512,298% = 5,20 €
1012,109% = 12,30 €
2511,8811% = 36,25 €
5011,6313% = 85,00 €
Prix HT
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-
-
-
-
-
RoHS
-
-
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0,02 €
Prix HT
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Min: 100
TO-92-3
-100 mA
-65 V
500 mW
trou traversant
RoHS
PNP
-
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PiècePrix €Économie
10,04-
3750+0,0325% = 37,50 €
10,04-
37500,0325% = 37,50 €
Prix HT
711 pièces en stock
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Min: 750
TO-92
800 mA
45 V
0.625 W
montage à plat
RoHS
NPN
-
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PiècePrix €Économie
11,24-
1501,148% = 15,00 €
250+1,1011% = 35,00 €
11,24-
1501,148% = 15,00 €
2501,1011% = 35,00 €
5001,0813% = 80,00 €
10001,0416% = 200,00 €
20001,0119% = 460,00 €
50000,9821% = 1 300,00 €
Prix HT
1800 pièces en stock
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Min: 50Lots: 50
TO-126
4 A
60 V
36 W
trou traversant
-
NPN
Bulk
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0,02 €
Prix HT
1240 pièces en stock
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TO-92
800 mA
25 V
0.625 W
montage à plat
RoHS
NPN
-
STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP3055 TO-247-3 1 NPN

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PiècePrix €Économie
12,33-
102,158% = 1,80 €
25+2,0811% = 6,25 €
12,33-
102,158% = 1,80 €
252,0811% = 6,25 €
502,0313% = 15,00 €
1001,9815% = 35,00 €
2501,9317% = 100,00 €
Prix HT
127 pièces en stock
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TO-247-3
15 A
60 V
90 W
trou traversant
-
NPN
-
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PiècePrix €Économie
10,16-
900,1413% = 1,80 €
150+0,1319% = 4,50 €
10,16-
900,1413% = 1,80 €
1500,1319% = 4,50 €
3000,1225% = 12,00 €
Prix HT
6329 pièces en stock
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Min: 30
TO-92
800 mA
45 V
625 mW
trou traversant
-
NPN
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PiècePrix €Économie
10,05-
600,0420% = 0,60 €
100+0,0340% = 2,00 €
10,05-
600,0420% = 0,60 €
1000,0340% = 2,00 €
Prix HT
351 pièces en stock
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Min: 20
TO-92-3
100 mA
45 V
500 mW
trou traversant
-
NPN
-
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PiècePrix €Économie
10,06-
3000,0517% = 3,00 €
500+0,0433% = 10,00 €
10,06-
3000,0517% = 3,00 €
5000,0433% = 10,00 €
Prix HT
2016 pièces en stock
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Min: 100
TO-92
500 mA
80 V
0.625 W
montage à plat
RoHS
NPN
-
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PiècePrix €Économie
12,33-
102,158% = 1,80 €
25+2,0811% = 6,25 €
12,33-
102,158% = 1,80 €
252,0811% = 6,25 €
502,0313% = 15,00 €
1001,9815% = 35,00 €
2501,9317% = 100,00 €
Prix HT
180 pièces en stock
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TO-247-3
-10 A
-100 V
125 W
trou traversant
-
PNP - Darlington
-
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Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,30923-
3000,281069% = 8,45 €
500+0,269813% = 19,72 €
10,30923-
3000,281069% = 8,45 €
5000,269813% = 19,72 €
10000,2622815% = 46,95 €
20000,2538418% = 110,78 €
40000,2444421% = 259,16 €
100000,2341224% = 751,10 €
Prix HT
3800 pièces en stock
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Min: 100Lots: 100
SOT-23
-
-
0.225 W
montage en saillie
-
-
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PiècePrix €Économie
11,66-
151,538% = 1,95 €
25+1,4811% = 4,50 €
11,66-
151,538% = 1,95 €
251,4811% = 4,50 €
501,4314% = 11,50 €
1001,3916% = 27,00 €
2001,3519% = 62,00 €
5001,3022% = 180,00 €
Prix HT
84 pièces en stock
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Min: 5
TO-126
1.5 A
80 V
1.25 W
trou traversant
-
NPN
-
ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret TIP35CG TO-247 1 NPN

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Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
12,91-
102,698% = 2,20 €
25+2,6011% = 7,75 €
12,91-
102,698% = 2,20 €
252,6011% = 7,75 €
502,5413% = 18,50 €
1002,4815% = 43,00 €
2502,4117% = 125,00 €
Prix HT
1 pièce(s) en stock
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TO-247
25 A
100 V
125 W
trou traversant
-
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PiècePrix €Économie
10,04-
5000,0325% = 5,00 €
1000+0,0250% = 20,00 €
10,04-
5000,0325% = 5,00 €
10000,0250% = 20,00 €
Prix HT
2933 pièces en stock
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Min: 100
TO-92BK
800 mA
45 V
0.625 W
montage à plat
RoHS
NPN
-
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PiècePrix €Économie
12,33-
102,158% = 1,80 €
25+2,0811% = 6,25 €
12,33-
102,158% = 1,80 €
252,0811% = 6,25 €
502,0313% = 15,00 €
1001,9815% = 35,00 €
2501,9317% = 100,00 €
Prix HT
121 pièces en stock
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TO-247-3
-15 A
-60 V
90 W
trou traversant
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PiècePrix €Économie
10,04-
3500,0325% = 3,50 €
700+0,0250% = 14,00 €
10,04-
3500,0325% = 3,50 €
7000,0250% = 14,00 €
Prix HT
1448 pièces en stock
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Min: 70
TO-92-3
100 mA
65 V
500 mW
trou traversant
RoHS
NPN
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PiècePrix €Économie
10,04-
350+0,0325% = 3,50 €
10,04-
3500,0325% = 3,50 €
Prix HT
1292 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 70
TO-92
800 mA
45 V
625 mW
trou traversant
RoHS
NPN
-
STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret MJE350 SOT-32-3 1 PNP

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Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
10,61-
150,568% = 0,75 €
25+0,5411% = 1,75 €
10,61-
150,568% = 0,75 €
250,5411% = 1,75 €
500,5313% = 4,00 €
1000,5116% = 10,00 €
2000,4920% = 24,00 €
5000,4821% = 65,00 €
Prix HT
121 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 5
SOT-32-3
-500 mA
-300 V
20.8 W
trou traversant
-
PNP
-
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PiècePrix €Économie
10,03444-
1800,03139% = 0,57 €
300+0,0300513% = 1,32 €
10,03444-
1800,03139% = 0,57 €
3000,0300513% = 1,32 €
6000,0292215% = 3,13 €
12000,0282818% = 7,39 €
24000,0272321% = 17,30 €
60000,0260824% = 50,16 €
Prix HT
3000 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 60
-
-
-
-
-
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Bande sur bobine complète
ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJE15030G TO-220  NPN Tube

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Conrad Electronic
PiècePrix €Économie
11,91-
1501,777% = 21,00 €
250+1,7110% = 50,00 €
11,91-
1501,777% = 21,00 €
2501,7110% = 50,00 €
5001,6713% = 120,00 €
10001,6315% = 280,00 €
20001,5817% = 660,00 €
Prix HT
100 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 50Lots: 50
TO-220
8 A
150 V
50 W
trou traversant
-
NPN
Tube
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PiècePrix €Économie
10,18468-
300,167869% = 0,50 €
50+0,1611313% = 1,18 €
10,18468-
300,167869% = 0,50 €
500,1611313% = 1,18 €
1000,1566515% = 2,80 €
2000,1516118% = 6,61 €
4000,1459921% = 15,48 €
10000,1398324% = 44,85 €
Prix HT
2450 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
-
-
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PiècePrix €Économie
10,03-
250+0,0233% = 2,50 €
10,03-
2500,0233% = 2,50 €
Prix HT
1020 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 50
TO-92
100 mA
30 V
500 mW
trou traversant
RoHS
NPN
-
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PiècePrix €Économie
10,03-
350+0,0233% = 3,50 €
10,03-
3500,0233% = 3,50 €
Prix HT
2951 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 70
TO-92
-100 mA
-30 V
500 mW
trou traversant
RoHS
PNP
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PiècePrix €Économie
114,16-
313,386% = 2,34 €
5+13,068% = 5,50 €
114,16-
313,386% = 2,34 €
513,068% = 5,50 €
1012,869% = 13,00 €
2512,6211% = 38,50 €
5012,3613% = 90,00 €
Prix HT
25 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
TO-264
17 A
250 V
150 W
trou traversant
-
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-
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PiècePrix €Économie
11,24-
91,148% = 0,90 €
15+1,1011% = 2,10 €
11,24-
91,148% = 0,90 €
151,1011% = 2,10 €
301,0813% = 4,80 €
601,0416% = 12,00 €
1201,0119% = 27,60 €
3000,9821% = 78,00 €
Prix HT
605 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 3
TO-220AB
15 A
100 V
90 W
trou traversant
-
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PiècePrix €Économie
10,76-
90,708% = 0,54 €
15+0,6811% = 1,20 €
10,76-
90,708% = 0,54 €
150,6811% = 1,20 €
300,6613% = 3,00 €
600,6416% = 7,20 €
1200,6218% = 16,80 €
3000,5922% = 51,00 €
Prix HT
657 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 3
TO-220AB
5 A
80 V
2 W
trou traversant
-
NPN - Darlington
-
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PiècePrix €Économie
11,66-
91,538% = 1,17 €
15+1,4811% = 2,70 €
11,66-
91,538% = 1,17 €
151,4811% = 2,70 €
301,4314% = 6,90 €
601,3916% = 16,20 €
1201,3519% = 37,20 €
3001,3022% = 108,00 €
Prix HT
379 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 3
TO-220AB
5 A
450 V
80 W
trou traversant
-
NPN
-
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PiècePrix €Économie
10,03-
500+0,0233% = 5,00 €
10,03-
5000,0233% = 5,00 €
Prix HT
8067 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 100
SOT-23
800 mA
45 V
0.31 W
montage en saillie
RoHS
NPN
-
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PiècePrix €Économie
10,82-
90,759% = 0,63 €
15+0,7311% = 1,35 €
10,82-
90,759% = 0,63 €
150,7311% = 1,35 €
300,7113% = 3,30 €
600,6817% = 8,40 €
1200,6718% = 18,00 €
3000,6422% = 54,00 €
Prix HT
436 pièces en stock
Livraison avant le jeu. 24 sept.
Min: 3
TO-220AB
10 A
60 V
75 W
trou traversant
-
NPN
-
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PiècePrix €Économie
10,35-
300,329% = 0,90 €
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TRU COMPONENTS Transistor (BJT) - Discret TC-BC548C TO-92 1 NPN
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD13910STU TO-126 1 NPN
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Conrad Electronic
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10,68-
210,637% = 1,05 €
350,6110% = 2,45 €
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BDV64BG TO-247  PNP Tube
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Conrad Electronic
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903,887% = 25,20 €
150+3,789% = 57,00 €
14,16-
903,887% = 25,20 €
1503,789% = 57,00 €
3003,7111% = 135,00 €
6003,6313% = 318,00 €
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJH11021G TO-247  PNP Tube

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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC546CTA TO-92-3 1 NPN
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Conrad Electronic
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BC547CTA TO-92-3 1 NPN
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600,1413% = 1,20 €
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Conseils

Si vous souhaitez contrôler ou commuter les tensions et les courants, nous disposons de transistors bipolaires en commutation nécessaire à la réalisation de vos projets. Étant un des composants actifs discrets les plus utilisés dans les conceptions et circuits électroniques, ils vous seront utiles pour tous types de signaux électriques. Les transistors ont révolutionné l’électronique en tant que composants de base des circuits intégrés, remplaçant les solutions plus énergivores et peu encombrantes. La majorité des produits de notre gamme de transistors bipolaires ont été choisis pour répondre à toutes les exigences les plus rigoureuses.

Transistors : Contrôle, amplification, génération de signaux électriques

Les transistors font sans aucun doute partie des composants électroniques les plus importants. Ils servent d'interrupteurs ainsi que d'amplificateurs, de contrôleurs et de générateurs de signaux électriques. Ils sont disponibles individuellement ou par milliards sur une puce de la taille d'un timbre-poste. Dans ce guide, vous apprendrez dans les grandes lignes comment ces composants actifs sont conçus, comment ils fonctionnent et quels types dominent le marché.

  • Structure et fonction des transistors

  • Les principaux types de transistors

  • Types et formes de transistors

  • FAQ –Questions fréquentes 

Composants actifs

Structure et fonction des transistors

Transistors

Un transistor se compose généralement de trois matériaux semi-conducteurs électriques distincts : l'émetteur, le collecteur et la base. Un signal électrique appliqué à la base influence sa capacité à conduire le courant électrique, qui circule entre l'émetteur et le collecteur dans la plupart des applications. Une source de tension entraîne le courant, tandis que le taux de passage du courant dans le composant à un moment donné est régulé par un signal d'entrée à la base - comparable à un robinet pour réguler le débit d'eau.

Le fonctionnement dépend fortement du comportement des électrons et des trous à l'interface entre une couche chargée positivement et une couche chargée négativement, appelée jonction pn. Cette transition a été découverte en 1940 par l'électrochimiste Russell Ohl des Bell Labs. Elle résulte de l'ajout d'impuretés dans les éléments semi-conducteurs que sont le germanium ou le silicium.

L'ajout de ces impuretés est appelé dopage et fonctionne ainsi :

Les atomes d'éléments du groupe 15 du tableau périodique, comme le phosphore ou l'arsenic, libèrent des électrons qui n'ont pas de place naturelle dans le réseau cristallin du semi-conducteur. Les électrons excédentaires sont donc liés de manière lâche et peuvent se déplacer relativement librement pour conduire le courant électrique en tant que porteurs de charge. En revanche, les atomes d'éléments du groupe 13 comme le bore ou l'aluminium provoquent un déficit d'électrons lorsqu'ils sont ajoutés en tant qu'impuretés. Au sens figuré, cela crée des trous dans la grille. Ces unités quantiques chargées positivement peuvent également se déplacer assez librement et conduire le courant.

Sous l'influence d'un champ électrique, les électrons et les trous se déplacent dans des directions opposées. Si aucune tension n'est appliquée à la jonction, les électrons et les trous s'accumulent sur les côtés opposés de l'interface et forment une couche de déplétion qui agit comme un isolant entre les deux côtés. Une tension négative appliquée à la couche n pousse ses électrons excédentaires vers l'interface, où ils se combinent avec les trous chargés positivement. Résultat : le courant circule. Si, au contraire, une des couches n est alimentée positivement, le champ électrique qui en résulte éloigne les électrons de l'interface. Dans ce cas, à part de minuscules courants de fuite, aucun courant ne circule. Le courant ne se déplace donc que dans une seule direction lors d'une jonction pn, ce qui signifie qu'une jonction pn agit comme un redresseur.


Les principaux types de transistors

Il existe deux groupes importants, à savoir les transistors bipolaires et les transistors à effet de champ unipolaires, en abrégé FET. Ils se distinguent non seulement par leur mode de commande, mais aussi par la désignation de leurs connexions. Les transistors bipolaires ont une base, un collecteur et un émetteur, tandis que les FET utilisent une grille, un drain et une source.

  • Un transistor bipolaire - souvent abrégé en BJT pour bipolar junction transistor - est un type de transistor qui utilise à la fois des électrons et des trous d'électrons comme porteurs de charge. En revanche, un type unipolaire, comme le transistor à effet de champ, n'utilise qu'un seul type de porteur de charge. Un type bipolaire est capable de contrôler, avec un petit courant, un courant beaucoup plus important qui circule entre deux autres bornes. Un BJT peut donc être utilisé comme amplificateur ou comme commutateur.

    Les BJT utilisent deux jonctions entre deux types de semi-conducteurs, n ou p, qui se trouvent dans un monocristal. Les jonctions peuvent être créées de différentes manières, par exemple en modifiant le dopage du matériau semi-conducteur pendant la fabrication, en déposant des billes de métal pour former des jonctions d'alliage ou en utilisant des méthodes telles que la diffusion de dopants n et p dans le cristal.

    Le transistor NPN est composé de deux couches de type n. Entre les deux se trouve une fine couche de conductivité p. Pour le transistor PNP, c'est exactement l'inverse : il se compose de deux couches de conductivité p avec une fine couche de conductivité n. Le type de transistor est facilement reconnaissable dans le schéma électrique : Dans le cas du transistor NPN, la flèche du trajet base-émetteur s'éloigne de la base, alors que dans le cas du transistor PNP, elle se dirige vers la base.

    Les circuits intégrés à transistors bipolaires ont été les principaux composants actifs d'une génération de mainframes et de mini-ordinateurs, mais la plupart des systèmes informatiques utilisent aujourd'hui des circuits intégrés basés sur des transistors à effet de champ. Les transistors bipolaires sont néanmoins toujours utilisés pour amplifier des signaux, comme commutateurs et dans les circuits numériques.

  • Ce type de circuit est composé de deux BJT, l'émetteur d'un transistor étant relié à la base de l'autre. Effet : le courant amplifié par le premier BJT est encore amplifié par le deuxième BJT. Les collecteurs des deux BJT sont reliés entre eux. Cette configuration possède une amplification de courant bien plus élevée que chaque BJT pris séparément. Le circuit Darlington se comporte alors comme un transistor unique et est souvent emballé comme tel. Il a été inventé en 1953 par Sidney Darlington.

  • Le transistor à effet de champ, en abrégé FET, utilise un champ électrique pour contrôler le flux de courant dans un semi-conducteur. Les FET contrôlent le flux de courant en appliquant une tension à la grille, qui modifie à son tour la conductivité entre le drain et la source.

    Les FET sont également appelés transistors unipolaires, car ils fonctionnent en mode à une seule porteuse. Cela signifie que les FET utilisent soit des électrons, soit des trous comme porteurs de charge, mais pas les deux. Il existe de nombreux types de transistors à effet de champ. Ils présentent généralement une impédance d'entrée très élevée à basses fréquences. Le transistor à effet de champ le plus couramment utilisé est le MOSFET, le transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur.

  • Le transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur ou MOSFET est un transistor à effet de champ à grille isolée fabriqué par l'oxydation contrôlée d'un semi-conducteur, généralement du silicium. La tension de la grille recouverte détermine la conductivité électrique du composant. Cette capacité à faire varier la conductivité avec le niveau de tension appliqué peut être utilisée pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

    Le MOSFET est l'élément de base de l'électronique moderne et le composant le plus fréquemment fabriqué dans l'histoire. Son principal avantage : comparé aux BJT bipolaires, il ne nécessite presque pas de courant d'entrée pour contrôler le courant de charge. Dans le cas d'un MOSFET en mode d'enrichissement, une tension appliquée à la borne de la grille peut augmenter la conductivité. En revanche, dans le cas d'un MOSFET à appauvrissement, la tension peut être réduite.

    Par rapport aux BJT, les MOSFET sont hautement évolutifs avec une miniaturisation croissante et possèdent une vitesse de commutation plus rapide, une taille beaucoup plus petite, consomment beaucoup moins de courant et permettent une densité beaucoup plus élevée. Comme ces transistors peuvent être fabriqués soit avec des semi-conducteurs de type p, soit avec des semi-conducteurs de type n, il est possible de créer des paires complémentaires pour fabriquer des circuits à très faible consommation de courant, appelés dispositifs CMOS.

    Le terme "métal-oxyde-semiconducteur" (MOS) fait généralement référence à une grille métallique, une isolation en oxyde et un semi-conducteur, généralement du silicium. Cependant, le terme "métal" dans la désignation MOSFET n'est parfois pas approprié, car le matériau de la grille peut également être une couche de polysilicium. Outre l'oxyde, différents matériaux diélectriques peuvent être utilisés pour obtenir des canaux amplificateurs avec des tensions appliquées plus faibles.

  • Contrairement aux BJT, les transistors à effet de champ à jonction ou JFET sont exclusivement commandés en tension, ce qui signifie qu'ils ne nécessitent pas de courant de polarisation. La charge électrique circule dans un canal semi-conducteur entre la borne de source et la borne de drain. En appliquant une tension de polarisation inverse à une connexion de grille, le canal est en quelque sorte déconnecté : le courant électrique est entravé ou complètement coupé. En règle générale, un JFET est allumé lorsqu'aucune tension n'est appliquée entre les connexions de la grille et de la source. Si une différence de potentiel avec la bonne polarité est appliquée entre les bornes de la grille et de la source, le JFET est plus résistant au passage du courant. Il y a donc moins de courant qui circule dans le canal entre les bornes de source et de drain.

    Les JFETs peuvent être équipés d'un canal de type n ou d'un canal de type p. Ils possèdent en outre une grande impédance d'entrée, ce qui rend négligeable l'effet sur les composants externes ou sur les circuits reliés à la grille.


Types et formes de transistors

Les transistors sont disponibles dans de nombreux boîtiers semi-conducteurs différents. Les deux principales catégories sont les transistors à trous métallisés ou câblés et les transistors CMS pour le montage en surface. Les boîtiers sont en verre, en métal, en céramique ou en plastique. Les transistors de puissance ont généralement des boîtiers plus grands qui peuvent être fixés à des radiateurs pour un meilleur refroidissement. En outre, dans la plupart des transistors de puissance, le collecteur ou le drain est physiquement relié au boîtier métallique. En revanche, certains transistors CMS à micro-ondes sont aussi petits que des grains de sable.

Souvent, un certain type de transistor est disponible dans plusieurs boîtiers. Les boîtiers de transistors sont pour la plupart normalisés, mais la correspondance entre les fonctions d'un transistor et ses connexions ne l'est pas - même pour un même type de transistor, l'affectation des connexions peut varier.

Les réseaux de transistors sont une forme de construction particulière. Ils se composent de deux ou plusieurs transistors sur un substrat commun. Contrairement aux circuits intégrés supérieurs, ils peuvent être utilisés individuellement comme des composants discrets. Cela signifie qu'ils ne sont pas reliés entre eux pour réaliser une fonction spécifique.

Les réseaux peuvent être constitués de transistors bipolaires ou de transistors à effet de champ. Les principaux avantages sont le gain de place sur le circuit imprimé et la garantie d'une étroite coordination des paramètres entre les composants. La réduction de la surface du circuit imprimé est particulièrement importante pour les circuits numériques dans lesquels plusieurs transistors de commutation sont réunis dans un même boîtier.

Réseau de transisteurs

FAQ – Questions fréquentes

A quoi faut-il faire attention lors de l'utilisation de tableaux ?

Une particularité est que le substrat est souvent présent sous forme de connexion séparée, désignée par substrat, masse ou terre. Il convient d'être prudent, surtout lors de la connexion du substrat, afin de maintenir l'isolation entre les composants du réseau, car une isolation de transition pn est généralement utilisée. Par exemple, dans un réseau de types NPN, le substrat doit être connecté à la tension la plus négative du circuit.

A quoi faut-il faire attention lors du soudage ?

La plupart des semi-conducteurs, y compris les transistors, sont conçus pour résister à une température allant jusqu'à 200 degrés Celsius pendant 10 secondes maximum. De nombreux experts utilisent toutefois des fers à souder dont les pointes sont nettement plus chaudes, mais qui terminent rapidement le processus de soudage. Pour les transistors câblés, une astuce s'est établie depuis longtemps pour éviter la surchauffe : Le maintien des fils de connexion pendant le processus de soudage à l'aide d'une pince plate. Celle-ci dissipe de manière fiable la chaleur de la panne à souder avant qu'elle n'atteigne le boîtier du transistor.

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