Taiwan Semiconductor Diode ESD BAV21 R0G 200 V 200 mA Tape
Type d'emballage
Tape
Type de produit
Diode ESD
Courant coupé limité I(F)
200 mA
Tension de blocage U(R)
200 V
Tension directe U(F)
1.25 V
Fiche technique (PDF)
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Points forts et détails
Diode ESD
- Taiwan Semiconductor BAV21 R0G
- Contenu: 1 pc(s)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type d'emballage
Tape
- Type
BAV21 R0G
- Type de produit
Diode ESD
- Fabricant
Taiwan Semiconductor
- Courant coupé limité I(F)
200 mA
- Tension de blocage U(R)
200 V
- Tension directe U(F)
1.25 V
- Courant de fuite I(r)
100 nA
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Température de fonctionnement (max.)
175 °C
- Type de montage
montage à plat
- Temps de recouvrement inverse T(rr)
50 ns
- Série
BAV_
- Conforme à la norme RoHS
oui
- Configuration (diode)
Simple
- U(RRM)
250 V
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 2993513 Taiwan Semiconductor Diode ESD BAV21 R0G 200 V 200 mA Tape
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 2993513 Taiwan Semiconductor Diode ESD BAV21 R0G 200 V 200 mA Tape
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