Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BFR193E6327HTSA1 SOT-23 NPN Bande sur bobine complète
Type d'emballage
Bande sur bobine complète
Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
Boîtier
SOT-23
Type
NPN
Courant du collecteur CI
0.08 A
Fiche technique (PDF)
EAN :
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Code produit :
Nombre
Quantité minimale de commande: 100
Pièce(s): 100
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Points forts et détails
Transistor (BJT) - Discret
- Infineon Technologies
- Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23
- Contenu: 1 pc(s)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type d'emballage
Bande sur bobine complète
- Type
BFR193E6327HTSA1
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
SOT-23
- Fabricant
Infineon Technologies
- Type
NPN
- Courant du collecteur CI
0.08 A
- Tension - Collecteur-émetteur max.
12 V
- Puissance (max) P(TOT)
0.58 W
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
70 µA
- Fréquence de transition f(T)
8 GHz
- Type de montage
montage en saillie
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3027451 Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BFR193E6327HTSA1 SOT-23 NPN Bande sur bobine complète
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3027451 Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BFR193E6327HTSA1 SOT-23 NPN Bande sur bobine complète
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