ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJE13007G TO-220AB 1 NPN - Conrad Electronic France | Conrad FR

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Deux composants électroniques noirs rectangulaires, chacun avec trois broches de connexion, disposés côte à côte sur la droite, probablement des transistors.

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Type de produit

Transistor (BJT) - Discret

Boîtier

TO-220AB

Type

NPN

Courant du collecteur CI

8 A

Tension - Collecteur-émetteur max.

400 V

ON Semiconductor

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Conrad ElectronicCGV

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Points forts et détails

Transistor (BJT) - Discret

ON Semiconductor MJE13007G
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
Contenu: 1 pc(s)

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type: MJE13007G

Type de produit: Transistor (BJT) - Discret

Boîtier: TO-220AB

Fabricant: ON Semiconductor

Abrév. fab.: OnS

Canaux: 1

Type: NPN

Courant du collecteur CI: 8 A

Tension - Collecteur-émetteur max.: 400 V

Saturation VCE (max.): 3 V

Collecteur courant résiduel I(CES): 100 µA

Puissance (max) P(TOT): 80 W

Série: SWITCHMODE™

Gain à courant DC (hFE): 5

Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 5 A

Puissance courant DC hFE - tension de référence: 5 V

Fréquence de transition f(T): 14 MHz

Type de montage: trou traversant

Contenu: 1 pc(s)

Documents et téléchargements

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 151208 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJE13007G TO-220AB 1 NPN

Description

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

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