STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP112 TO-220AB 1 NPN - Darlington - Conrad Electronic France | Conrad Electronic » All parts of success

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STMicroelectronics

Type de produit

Transistor (BJT) - Discret

Boîtier

TO-220AB

Type

NPN - Darlington

Courant du collecteur CI

2 A

Tension - Collecteur-émetteur max.

100 V

Fiche technique (PDF)

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Points forts et détails

Transistor de puissance Darlington

STMicroelectronics TIP112
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
Contenu: 1 pc(s)

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type: TIP112

Type de produit: Transistor (BJT) - Discret

Boîtier: TO-220AB

Fabricant: STMicroelectronics

Abrév. fab.: STM

Canaux: 1

Type: NPN - Darlington

Courant du collecteur CI: 2 A

Tension - Collecteur-émetteur max.: 100 V

Saturation VCE (max.): 2.5 V

Collecteur courant résiduel I(CES): 2 mA

Puissance (max) P(TOT): 2 W

Gain à courant DC (hFE): 1000

Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 1 A

Puissance courant DC hFE - tension de référence: 4 V

Type de montage: trou traversant

Contenu: 1 pc(s)

Documents et téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 150900 STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP112 TO-220AB 1 NPN - Darlington

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 150900 STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP112 TO-220AB 1 NPN - Darlington

Description

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

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