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STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP112 TO-220AB 1 NPN - Darlington
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
Boîtier
TO-220AB
Type
NPN - Darlington
Courant du collecteur CI
2 A
Tension - Collecteur-émetteur max.
100 V
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
3
-
1,24 €
9
8% = 0,10 €
1,14 €
15
11% = 0,14 €
1,10 €
30
13% = 0,16 €
1,08 €
60
16% = 0,20 €
1,04 €
120
19% = 0,23 €
1,01 €
300
21% = 0,26 €
0,98 €
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Nombre
Quantité minimale de commande: 3
Total (1,24 € / unité(s))
3,72 €
HT
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Points forts et détails
Transistor de puissance Darlington
- STMicroelectronics TIP112
- Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
- Contenu: 1 pc(s)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
TIP112
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
STMicroelectronics
- Abrév. fab.
STM
- Canaux
1
- Type
NPN - Darlington
- Courant du collecteur CI
2 A
- Tension - Collecteur-émetteur max.
100 V
- Saturation VCE (max.)
2.5 V
- Collecteur courant résiduel I(CES)
2 mA
- Puissance (max) P(TOT)
2 W
- Gain à courant DC (hFE)
1000
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
1 A
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
4 V
- Type de montage
trou traversant
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 150900 STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP112 TO-220AB 1 NPN - Darlington
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 150900 STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret TIP112 TO-220AB 1 NPN - Darlington
Description
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