Photo non contractuelle
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD810G TO-220AB 1 PNP
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
Boîtier
TO-220AB
Type
PNP
Courant du collecteur CI
-10 A
Tension - Collecteur-émetteur max.
-80 V
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
2
-
1,08 €
6
8% = 0,09 €
0,99 €
10
12% = 0,13 €
0,95 €
20
14% = 0,15 €
0,93 €
40
16% = 0,17 €
0,91 €
80
19% = 0,20 €
0,88 €
200
22% = 0,24 €
0,84 €
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Nombre
Quantité minimale de commande: 2
Total (1,08 € / unité(s))
2,16 €
HT
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Points forts et détails
Transistor (BJT) - Discret
- ON Semiconductor BD810G
- Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
- Contenu: 1 pc(s)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
BD810G
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Canaux
1
- Type
PNP
- Courant du collecteur CI
-10 A
- Tension - Collecteur-émetteur max.
-80 V
- Saturation VCE (max.)
-1.1 V
- Collecteur courant résiduel I(CES)
-1 mA
- Puissance (max) P(TOT)
90 W
- Gain à courant DC (hFE)
15
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
-4 A
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
-2 V
- Fréquence de transition f(T)
1.5 MHz
- Type de montage
trou traversant
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 156418 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD810G TO-220AB 1 PNP
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 156418 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD810G TO-220AB 1 PNP
Description
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