ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD809 TO-220AB 1 NPN - Conrad Electronic France | Conrad FR

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Deux composants électroniques noirs rectangulaires, chacun avec trois broches de connexion, disposés côte à côte sur la droite, probablement des transistors.

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Type de produit

Transistor (BJT) - Discret

Boîtier

TO-220AB

Type

NPN

Courant du collecteur CI

10 A

Tension - Collecteur-émetteur max.

80 V

Fiche technique (PDF)

ON Semiconductor

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Points forts et détails

Transistor (BJT) - Discret

ON Semiconductor BD809
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
Contenu: 1 pc(s)

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type: BD809

Type de produit: Transistor (BJT) - Discret

Boîtier: TO-220AB

Fabricant: ON Semiconductor

Canaux: 1

Type: NPN

Courant du collecteur CI: 10 A

Tension - Collecteur-émetteur max.: 80 V

Saturation VCE (max.): 1.1 V

Collecteur courant résiduel I(CES): 1 mA

Puissance (max) P(TOT): 90 W

Gain à courant DC (hFE): 15

Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 4 A

Puissance courant DC hFE - tension de référence: 2 V

Fréquence de transition f(T): 1.5 MHz

Type de montage: trou traversant

Contenu: 1 pc(s)

Documents et téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 156400 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD809 TO-220AB 1 NPN

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 156400 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD809 TO-220AB 1 NPN

Description

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

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