Transcend MTE652T-I 256 GB SSD interne NVMe/PCIe M.2 PCIe NVMe 3.0 x4 industriel TS256GMTE652T-I
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Points forts et détails
SSD PCIe M.2 Transcend MTE652T
- Capacité de la mémoire: 256 GB
- Cache DRAM intégré
- Endurance : cycles 3 K P/E (programme/cycles d'Erase) guaranteed
- Modèle large temperature disponible: Promisd operatal reliability in a wide temperature e range (de -40℃ à 85℃)
- Interface PCIe Gen 3 x4
- Principaux composants fortifiés avec processus Corner Bond baked-in
- Compatible avec PCI Express Specification 3.1
- Compliant avec NVM Express Specification 1.3
- Prise en charge de NVM command
- Technologie de mise en cache SLC
- Fonction LDPC ECC (Error correction Code) intégrée
- Throttling thermique dynamique
- Compatible avec les normes RoHS 2.0
- Support pour logiciel Transcend SSD Scope Pro
Caractéristiques techniques
- Type de produit
SSD interne NVMe/PCIe M.2
- Série
MTE652T-I
- Facteur de forme
Module M.2 2280
- Interfaces
PCIe NVMe 3.0 x4
- Capacité de la mémoire
256 GB
- Lecture
2100 Mo/s
- Écriture (max)
1250 Mo/s
- Vitesse de lecture IOPS (max.)
190000 IOPS
- Vitesse d'écriture IOPS (max.)
290000 IOPS
- Largeur
22 mm
- Hauteur
3.58 mm
- Profondeur
80 mm
- Modèle
industriel
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 2302596 Transcend MTE652T-I 256 GB SSD interne NVMe/PCIe M.2 PCIe NVMe 3.0 x4 industriel TS256GMTE652T-I
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 2302596 Transcend MTE652T-I 256 GB SSD interne NVMe/PCIe M.2 PCIe NVMe 3.0 x4 industriel TS256GMTE652T-I
Conditions de garantie
Conditions de garantie 2302596 Transcend MTE652T-I 256 GB SSD interne NVMe/PCIe M.2 PCIe NVMe 3.0 x4 industriel TS256GMTE652T-I
Description
Le SSD MTE652T M.2 de Transcend dispose d'une interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 et est compatible avec les spécifications NVM Express (NVMe) 1.3 pour atteindre des vitesses de transmission impressionnantes. Le MTE652T dispose de la toute dernière technologie 3D NAND qui permet d'empiler verticalement 96 couches de puces flash NAND 3D. Par rapport au 3D NAND sur 64 couches, cette augmentation de densité améliore considérablement l'efficacité de la mémoire. Le MTE652T est équipé d'un cache DRAM pour un accès rapide et est entièrement testé dans sa propre maison pour garantir la fiabilité dans les applications critiques. Il offre une capacité de charge de 3 K cycles de programmation/d'extinction.
Transcend propose également le MTE652T en tant que MTE652T-I avec des plages de température étendues (-40℃ ~ 85℃) pour garantir une fonctionnalité durable, une endurance améliorée et une fiabilité optimale dans les applications critiques.
Ce texte a été traduit par une machine.
Transcend propose également le MTE652T en tant que MTE652T-I avec des plages de température étendues (-40℃ ~ 85℃) pour garantir une fonctionnalité durable, une endurance améliorée et une fiabilité optimale dans les applications critiques.
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