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Un boîtier métallique avec deux trous de fixation, probablement destiné à un composant électronique tel qu'un transistor ou un régulateur.

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Photo non contractuelle

ON Semiconductor

Type de produit

Transistor (BJT) - Discret

Boîtier

TO-3

Type

NPN - Darlington

Courant du collecteur CI

30 A

Tension - Collecteur-émetteur max.

120 V

Fiche technique (PDF)

EAN :

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Conrad ElectronicCGV

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Points forts et détails

Transistor (BJT) - Discret

ON Semiconductor MJ11016G
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-3
Contenu: 1 pc(s)

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type: MJ11016G

Type de produit: Transistor (BJT) - Discret

Boîtier: TO-3

Fabricant: ON Semiconductor

Abrév. fab.: OnS

Canaux: 1

Type: NPN - Darlington

Courant du collecteur CI: 30 A

Tension - Collecteur-émetteur max.: 120 V

Saturation VCE (max.): 4 V

Collecteur courant résiduel I(CES): 1 mA

Puissance (max) P(TOT): 200 W

Gain à courant DC (hFE): 1000

Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 20 A

Puissance courant DC hFE - tension de référence: 5 V

Fréquence de transition f(T): 4 MHz

Type de montage: trou traversant

Contenu: 1 pc(s)

Documents et téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJ11016G TO-3 1 NPN - Darlington

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJ11016G TO-3 1 NPN - Darlington

Description

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

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