Photo non contractuelle
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJ11016G TO-3 1 NPN - Darlington
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
Boîtier
TO-3
Type
NPN - Darlington
Courant du collecteur CI
30 A
Tension - Collecteur-émetteur max.
120 V
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
11,66 €
3
5% = 0,64 €
11,02 €
5
8% = 0,90 €
10,76 €
10
9% = 1,08 €
10,58 €
25
11% = 1,27 €
10,39 €
50
13% = 1,48 €
10,18 €
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Nombre
Total (11,66 € / unité(s))
11,66 €
HT
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Points forts et détails
Transistor (BJT) - Discret
- ON Semiconductor MJ11016G
- Type de boîtier (semi-conducteur): TO-3
- Contenu: 1 pc(s)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
MJ11016G
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
TO-3
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Canaux
1
- Type
NPN - Darlington
- Courant du collecteur CI
30 A
- Tension - Collecteur-émetteur max.
120 V
- Saturation VCE (max.)
4 V
- Collecteur courant résiduel I(CES)
1 mA
- Puissance (max) P(TOT)
200 W
- Gain à courant DC (hFE)
1000
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
20 A
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
5 V
- Fréquence de transition f(T)
4 MHz
- Type de montage
trou traversant
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJ11016G TO-3 1 NPN - Darlington
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJ11016G TO-3 1 NPN - Darlington
Description
Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.