STMicroelectronics Transistor bipolaire (BJT) - Matrice ULN2803A DIP-18 8 NPN - Darlington
Type de produit
Transistor bipolaire (BJT) - Matrice
Boîtier
DIP-18
Type
NPN - Darlington
Courant du collecteur CI
500 mA
Tension - Collecteur-émetteur max.
50 V
Fiche technique (PDF)
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Nombre
Total (1,24 € / unité(s))
1,24 €
HT
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Points forts et détails
Transistor bipolaire (BJT) - Matrice
- STMicroelectronics ULN2803A
- Type de boîtier (semi-conducteur): DIP-18
- Contenu: 1 pc(s)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
ULN2803A
- Type de produit
Transistor bipolaire (BJT) - Matrice
- Boîtier
DIP-18
- Fabricant
STMicroelectronics
- Abrév. fab.
STM
- Canaux
8
- Type
NPN - Darlington
- Courant du collecteur CI
500 mA
- Tension - Collecteur-émetteur max.
50 V
- Saturation VCE (max.)
1.6 V
- Puissance (max) P(TOT)
2.25 W
- Gain à courant DC (hFE)
1000
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
350 mA
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
2 V
- Type de montage
trou traversant
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 171824 STMicroelectronics Transistor bipolaire (BJT) - Matrice ULN2803A DIP-18 8 NPN - Darlington
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 171824 STMicroelectronics Transistor bipolaire (BJT) - Matrice ULN2803A DIP-18 8 NPN - Darlington
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