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Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 Canal N 370 W TO-220AB
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
370 W
R(DS)(on)
4.3 mΩ
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
4,58 €
5
7% = 1,50 €
4,28 €
10
9% = 4,20 €
4,16 €
25
11% = 12,50 €
4,08 €
50
13% = 30,00 €
3,98 €
100
15% = 70,00 €
3,88 €
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Nombre
Total (4,58 € / unité(s))
4,58 €
HT
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Points forts et détails
Transistor unipolaire (MOSFET)
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Caractéristiques techniques
- Type
IRLB4030PBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
180 A
- UBR DSS
100 V
- Puissance (max) P(TOT)
370 W
- R(DS)(on)
4.3 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
110 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
2.5 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Q(G) Tension de référence
4.5 V
- C(ISS)
11360 pF
- Tension de référence C(ISS)
50 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Porte de niveau logique
- U(DSS)
100 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 161165 Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 Canal N 370 W TO-220AB
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 161165 Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 Canal N 370 W TO-220AB
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