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ON Semiconductor FDC6561AN MOSFET 2 Canal N 700 mW SOT-23-6
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOT-23-6
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
700 mW
R(DS)(on)
95 mΩ
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
5
-
0,78 €
15
8% = 0,06 €
0,72 €
25
12% = 0,09 €
0,69 €
50
13% = 0,10 €
0,68 €
100
15% = 0,12 €
0,66 €
200
18% = 0,14 €
0,64 €
500
21% = 0,16 €
0,62 €
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Nombre
Quantité minimale de commande: 5
Total (0,78 € / unité(s))
3,90 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
FDC6561AN
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOT-23-6
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Type
Canal N
- I(d)
2.5 A
- UBR DSS
30 V
- Puissance (max) P(TOT)
700 mW
- R(DS)(on)
95 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
2.5 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
3.2 nC
- Q(G) Tension de référence
5 V
- C(ISS)
220 pF
- Tension de référence C(ISS)
15 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Série
PowerTrench®
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Porte de niveau logique
- U(DSS)
30 V
- Canaux
2
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 1263375 ON Semiconductor FDC6561AN MOSFET 2 Canal N 700 mW SOT-23-6