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Conrad

Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 Canal N 150 W TO-220

Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
150 W
R(DS)(on)
150 mΩ
Fiche technique (PDF)
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Livraison avant le jeu. 29 octobre

418 pièce(s)
Vente et expédition :
Conrad ElectronicCGV

Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
1,91 €
10
7% = 1,40 €
1,77 €
25
10% = 5,00 €
1,71 €
50
13% = 12,00 €
1,67 €
100
15% = 28,00 €
1,63 €
250
17% = 82,50 €
1,58 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs

Nombre
Total (1,91 € / unité(s))
1,91 €
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Points forts et détails

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type

IRF640NPBF

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-220

Fabricant

Infineon Technologies

Abrév. fab.

INF

Type

Canal N

I(d)

18 A

UBR DSS

200 V

Puissance (max) P(TOT)

150 W

R(DS)(on)

150 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

11 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

67 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

1160 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Série

HEXFET®

Température de fonctionnement (max.)

+175 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

200 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Description

200 V/18 A

Documents et téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 162424 Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 Canal N 150 W TO-220

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 162424 Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 Canal N 150 W TO-220

Description

Un transistor Mosfet est un composant commandé en tension qui peut directement être branché à des sources à haute impédance. Il convient donc bien à une utilisation comme commutateur ou amplificateur analogique. Ce transistor est compatible µC, TTL et CMOS. Remarque : fabricants SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

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