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Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

ON Semiconductor FQA36P15 MOSFET 1 Canal P 294 W TO-3P-3

EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Deux transistors électroniques, chacun doté de trois bornes, sont représentés ; ils sont pertinents pour les circuits électroniques.
Photo non contractuelle
Deux transistors électroniques, chacun doté de trois bornes, sont représentés ; ils sont pertinents pour les circuits électroniques.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-3P-3
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
294 W
R(DS)(on)
90 mΩ
ON Semiconductor
Livraison le lun. 14 septembre

322 pièce(s) (Dans la limite des stocks disponibles)
Vente et expédition :
Conrad Electronic CGV

Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
4,99 €
5
6% = 0,32 €
4,67 €
10
9% = 0,46 €
4,53 €
25
11% = 0,54 €
4,45 €
50
13% = 0,64 €
4,35 €
100
15% = 0,75 €
4,24 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
Économiser 0,00 €

Nombre

Total (4,99 € / unité(s))
4,99 €
HT 
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Points forts et détails

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type

FQA36P15

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-3P-3

Fabricant

ON Semiconductor

Abrév. fab.

OnS

Type

Canal P

I(d)

36 A

UBR DSS

150 V

Puissance (max) P(TOT)

294 W

R(DS)(on)

90 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

18 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

105 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

3320 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Série

QFET®

Température de fonctionnement (max.)

+175 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

150 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Variantes(Les prix s'entendent HT hors frais de port)

Boîtier
U(GS)(th) max.
R(DS)(on) Courant de référence
R(DS)(on)
U(DSS)
Puissance (max) P(TOT)
Type
C(ISS)
Type de montage
 
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 Canal N 400 mW TO-92-3
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 Canal N 400 mW TO-92-3

1262890

 
TO-92-3
3 V
500 mA
5 Ω
60 V
400 mW
Canal N
50 pF
trou traversant
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3

1262893

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
2 Ω
60 V
350 mW
Canal N
50 pF
montage en saillie
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3

1262896

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
5 Ω
60 V
350 mW
Canal N
50 pF
montage en saillie
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3

1263060

 
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
Canal N
40 pF
trou traversant
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3

1263061

 
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
Canal N
40 pF
trou traversant
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 Canal N 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 Canal N 360 mW SOT-23-3

1263073

 
SOT-23-3
2 V
170 mA
6 Ω
100 V
360 mW
Canal N
73 pF
montage en saillie
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3

1263075

 
SOT-23-3
220 mA
3.5 Ω
50 V
360 mW
27 pF
montage en saillie
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 Canal N 75 W TO-220-3
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 Canal N 75 W TO-220-3

1263085

 
TO-220-3
4 V
15 A
40 mΩ
50 V
75 W
Canal N
2000 pF
trou traversant
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 Canal N 595 W TO-247-3
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 Canal N 595 W TO-247-3

1263216

 
TO-247-3
5 V
38 A
41 mΩ
600 V
595 W
Canal N
14365 pF
trou traversant
ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 Canal N 481 W TO-247-3
ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 Canal N 481 W TO-247-3

1263217

 
TO-247-3
5 V
26 A
72 mΩ
600 V
481 W
Canal N
8660 pF
trou traversant

Documents et téléchargements

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 1264087 ON Semiconductor FQA36P15 MOSFET 1 Canal P 294 W TO-3P-3

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