- Type de produit
- MOSFET923Transistor IGBT2Jeu de MOSFET/IGBT1Transistor JFET1
- VendeurConrad Electronic SE
- Prix
- Marque
- Infineon Technologies349Vishay137Diotec129Taiwan Semiconductor94STMicroelectronics75Littelfuse69ON Semiconductor55DIODES Incorporated12IXYS3MCC3ifm Electronic1Kemo1
- Puissance (max) P(TOT)
- 0.2 W5225 mW20.25 W40.275 W10.31 W10.35 W8350 mW7360 mW70.36 W6400 mW20.4 W10.41 W10.5 W4500 mW10.53 W1540 mW2700 mW1710 mW10.75 W1800 mW1830 mW20.9 W1900 mW10.96 W11 W51.0 W11.1 W11.25 W111.3 W121.4 W51.5 W51.56 W11.6 W21.7 W31.78 W11.8 W101.9 W12.0 W162 W42.1 W52.3 W12.4 W12.5 W192.8 W13 W23.1 W63.75 W13.8 W54 W34.2 W25 W85.7 W26 W36.3 W16.6 W17.8 W18 W210.8 W113 W114 W116 W317 W120 W121 W122 W122.7 W224 W125 W2128 W329 W129.7 W230 W231 W532 W134 W335 W435.7 W236 W238 W239 W240 W941 W141.67 W141.7 W142 W1143 W544 W145 W1546 W348 W648.3 W250 W551 W152 W354 W560 W562 W262.5 W263 W166 W368 W869 W270 W471 W374 W675 W578 W179 W580 W382 W283 W585 W186 W188 W290 W691 W192 W194 W295 W298 W199 W3100 W3101 W1107 W1110 W28115 W2120 W4125 W23128 W1130 W9131 W1135 W2140 W16143 W2144 W5150 W18151 W4156 W1160 W10170 W9176 W3178 W1180 W7190 W11192 W1200 W18208 W4214 W1220 W1227 W1230 W20231 W1235 W1245 W1250 W4277 W1278 W3280 W7290 W1294 W4298 W1300 W15310 W4312 W1312.5 W1320 W2330 W4333 W1340 W1341 W4350 W3357 W1360 W7370 W8375 W18380 W6390 W5391 W1400 W5425 W1446 W3460 W1470 W1480 W4481 W2517 W1520 W4580 W1595 W2625 W2780 W2800 W1940 W2960 W21040 W11170 W11250 W11500 W1
- R(DS)(on) Courant de référence
- -10 A9-20 A7-3 A4-4 A4-1 A3-30 A3-15 A1-2 A1-6 A10 A40.1 mA10.0416666666666667 A100.1 A1120 mA10.125 A30.166666666666667 A2170 mA2190 mA1200 mA3220 mA20.291666666666667 A3330 mA10.333333333333333 A2400 mA10.416666666666667 A5500 mA5660 mA1910 mA1930 mA11.2 A21.25 A11.4 A11.5 A31.6 A11.9 A22 A12.2 A22.3 A12.4 A12.5 A32.6 A12.7 A22.75 A12.8 A22.9 A23 A13.1 A23.3 A13.4 A23.5 A13.6 A23.7 A24 A24.1 A24.2 A14.3 A24.5 A24.8 A35 A15.2 A15.4 A25.5 A35.7 A15.8 A16 A26.3 A16.6 A37.2 A38.4 A58.5 A18.6 A19 A29.2 A19.6 A110 A611 A712 A513 A313.5 A114 A115 A516 A717 A318 A320 A1021 A122 A323 A523.5 A124 A525 A425.5 A126 A128 A430 A931 A132 A133 A335 A438 A240 A741 A142 A144 A245 A246 A347 A149 A150 A652 A156 A157 A158 A159 A160 A262 A265 A166 A170 A275 A1676 A178 A1100 A9101 A1110 A2121 A1125 A1165 A1170 A1180 A1195 A2
- U(DSS)
- -40 V14-60 V10-30 V8-20 V4-100 V3-50 V2-200 V112 V120 V1224 V125 V330 V3740 V2345 V250 V655 V2860 V7065 V975 V1280 V385 V190 V1100 V54150 V29200 V26250 V8300 V3400 V10500 V26600 V27650 V7800 V3900 V21000 V5
- Boîtier
- Type de montage
- Type
- R(DS)(on)
- U(GS)(th) max.
- C(ISS)
- Type d'emballage
- Certifications
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- Offres et autres
Mosfets
928 RésultatsDétails | Prix | Disponibilité | Boîtier | U(GS)(th) max. | C(ISS) | R(DS)(on) Courant de référence | R(DS)(on) | Puissance (max) P(TOT) | Type de montage | U(DSS) | Type | Certifications | Type d'emballage | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 Similaire à la photo ON Semiconductor BS170 MOSFET 1 Canal N 350 mW TO-92Conrad Electronic Prix HT 2925 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 15 | TO-92 | 3 V | 60 pF | 200 mA | 5 Ω | 350 mW | trou traversant | 60 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRL540NPBF MOSFET 1 Canal N 140 W TO-220Conrad Electronic Prix HT 423 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220 | 2 V | 1800 pF | 18 A | 44 mΩ | 140 W | trou traversant | 100 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Vishay IRFP460PBF MOSFET 1 Canal N 280 W TO-247Conrad Electronic Prix HT 232 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-247 | 4 V | 4200 pF | 12 A | 270 mΩ | 280 W | trou traversant | 500 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRLB3034PBF MOSFET 1 Canal N 375 W TO-220ABConrad Electronic Prix HT 619 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220AB | 2.5 V | 10315 pF | 195 A | 1.7 mΩ | 375 W | trou traversant | 40 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Vishay IRFP22N50APBF MOSFET 1 Canal N 277 W TO-247ACConrad Electronic Prix HT 485 pièces en stock Livraison avant le mar. 22 sept. Min: 5Lots: 5 | TO-247AC | 4 V | 3450 pF | 13 A | 230 mΩ | 277 W | trou traversant | 500 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRFP250NPBF MOSFET 1 Canal N 214 W TO-247Conrad Electronic Prix HT 151 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-247 | 4 V | 2159 pF | 18 A | 75 mΩ | 214 W | trou traversant | 200 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRF530NPBF MOSFET 1 Canal N 70 W TO-220AB TubeConrad Electronic Prix HT 68 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 3 | TO-220AB | 20 V | 920 pF | 17 A | 0.09 Ω | 70 W | trou traversant | 100 V | Canal N | RoHS | Tube | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220Conrad Electronic Prix HT 4251 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 3 | TO-220 | 2 V | 1700 pF | 25 A | 22 mΩ | 110 W | trou traversant | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRFZ44NPBF MOSFET 1 Canal N 94 W TO-220Conrad Electronic Prix HT 854 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1470 pF | 25 A | 17.5 mΩ | 94 W | trou traversant | 55 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRL3705ZPBF MOSFET 1 Canal N 130 W TO-220ABConrad Electronic Prix HT 90 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220AB | 3 V | 2880 pF | 52 A | 8 mΩ | 130 W | trou traversant | 55 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 Canal N 370 W TO-220ABConrad Electronic Prix HT 99 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220AB | 4 V | 9620 pF | 75 A | 4.5 mΩ | 370 W | trou traversant | 100 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68 W TO-220Conrad Electronic Prix HT 1290 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 3 | TO-220 | 2 V | 880 pF | 16 A | 35 mΩ | 68 W | trou traversant | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Similaire à la photo Vishay IRFP240 MOSFET 1 Canal N 150 W TO-247Conrad Electronic 2,49 € Prix HT Bientôt disponible | TO-247 | 4 V | 1300 pF | 12 A | 180 mΩ | 150 W | trou traversant | 200 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 Canal N 130 W TO-220Conrad Electronic Prix HT 641 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220 | 4 V | 1960 pF | 16 A | 44 mΩ | 130 W | trou traversant | 100 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRLU024NPBF MOSFET 1 Canal N 45 W TO-251-3Conrad Electronic Prix HT 15 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 3 | TO-251-3 | 2 V | 480 pF | 10 A | 65 mΩ | 45 W | trou traversant | 55 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Vishay IRFZ44PBF MOSFET 1 Canal N 150 W TO-220ABConrad Electronic Prix HT 41 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220AB | 4 V | 1900 pF | 31 A | 28 mΩ | 150 W | trou traversant | 60 V | Canal N | - | - | |||
Prix HT 253 pièces en stock Livraison avant le mar. 22 sept. | TO-220-FULLPAK | - | - | - | 0.29 Ω | 42 W | trou traversant | - | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo ON Semiconductor 2N7000 MOSFET 1 Canal N 400 mW TO-92Conrad Electronic Prix HT 7513 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 7 | TO-92 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | trou traversant | 60 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 Canal N 48 W TO-220Conrad Electronic Prix HT 2611 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 330 pF | 5.7 A | 200 mΩ | 48 W | trou traversant | 100 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRLML6344TRPBF MOSFET 1 Canal N 1.3 W SOT-23Conrad Electronic Prix HT 491 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 10 | SOT-23 | 1.1 V | 650 pF | 5 A | 29 mΩ | 1.3 W | montage en saillie | 30 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo ON Semiconductor FDC6561AN MOSFET 2 Canal N 700 mW SOT-23-6Conrad Electronic Prix HT 64 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 5 | SOT-23-6 | 3 V | 220 pF | 2.5 A | 95 mΩ | 700 mW | montage en saillie | 30 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 Canal N 400 mW TO-92-3Conrad Electronic Prix HT 1662 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 15 | TO-92-3 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | trou traversant | 60 V | Canal N | - | - | |||
0,39158 € Prix HT 20 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 3 | SOT-223 | - | - | - | 0.045 Ω | 2.1 W | montage en saillie | - | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3Conrad Electronic 0,20 € Prix HT 1183 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 10 | SOT-23-3 | - | 27 pF | 220 mA | 3.5 Ω | 360 mW | montage en saillie | 50 V | - | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRFB3306PBF MOSFET 1 Canal N 230 W TO-220ABConrad Electronic Prix HT 66 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220AB | 4 V | 4520 pF | 75 A | 4.2 mΩ | 230 W | trou traversant | 60 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo MOSFET Infineon Technologies SPW20N60S5 1 Canal N 208 W TO-247Conrad Electronic Prix HT 252 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-247 | 5.5 V | 3000 pF | 13 A | 190 mΩ | 208 W | trou traversant | 600 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Vishay IRFP9240 MOSFET 1 Canal P 150 W TO-247Conrad Electronic Prix HT 368 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-247 | 4 V | 1200 pF | 7.2 A | 500 mΩ | 150 W | trou traversant | 200 V | Canal P | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRFP9140NPBF MOSFET 1 Canal P 140 W TO-247Conrad Electronic Prix HT 250 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-247 | 4 V | 1300 pF | 13 A | 117 mΩ | 140 W | trou traversant | 100 V | Canal P | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220ABConrad Electronic Prix HT 232 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220AB | 4 V | 3247 pF | 62 A | 8 mΩ | 200 W | montage en saillie | 55 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo STMicroelectronics STP26NM60N MOSFET 1 Canal N 140 W TO-220Conrad Electronic Prix HT 23 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220 | - | - | - | 0.165 Ω | 140 W | trou traversant | - | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRLB8743PBF MOSFET 1 Canal N 140 W TO-220ABConrad Electronic Prix HT 61 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220AB | 2.35 V | 5110 pF | 40 A | 3.2 mΩ | 140 W | trou traversant | 30 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo ON Semiconductor FQA36P15 MOSFET 1 Canal P 294 W TO-3P-3Conrad Electronic -8% Prix HT 322 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-3P-3 | 4 V | 3320 pF | 18 A | 90 mΩ | 294 W | trou traversant | 150 V | Canal P | - | - | |||
Infineon Technologies BSP315P MOSFET 1 Canal P 1.8 W SOT-223Conrad Electronic Prix HT Bientôt disponible Min: 5 | SOT-223 | - | - | - | 0.8 Ω | 1.8 W | montage en saillie | - | Canal P | - | - | |||
 Similaire à la photo Vishay IRF840LCPBF MOSFET 1 Canal N 125 W TO-220ABConrad Electronic Prix HT 79 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220AB | 4 V | 1100 pF | 4.8 A | 850 mΩ | 125 W | trou traversant | 500 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3Conrad Electronic 0,06 € Prix HT 2226 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 30 | SOT-23-3 | 2.5 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 350 mW | montage en saillie | 60 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies SPP20N60S5 MOSFET 1 Canal N 208 W TO-220Conrad Electronic Prix HT 943 pièces en stock Livraison avant le mar. 22 sept. | TO-220 | - | - | - | 0.19 Ω | 208 W | trou traversant | - | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRFP4229PBF MOSFET 1 Canal N 310 W TO-247ACConrad Electronic Prix HT 80 pièces en stock Livraison avant le mar. 22 sept. Min: 5Lots: 5 | TO-247AC | - | - | - | 0.046 Ω | 310 W | trou traversant | - | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRLML2803TRPBF MOSFET 1 Canal N 540 mW SOT-23Conrad Electronic Prix HT 295 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. Min: 15 | SOT-23 | 1 V | 85 pF | 910 mA | 250 mΩ | 540 mW | montage en saillie | 30 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo ON Semiconductor FQP17P06 MOSFET 1 Canal P 79 W TO-220-3Conrad Electronic Prix HT 6 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220-3 | 4 V | 900 pF | 8.5 A | 120 mΩ | 79 W | trou traversant | 60 V | Canal P | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRF1310NPBF MOSFET 1 Canal N 160 W TO-220ABConrad Electronic 0,66 € Prix HT 72 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220AB | 4 V | 1900 pF | 22 A | 36 mΩ | 160 W | trou traversant | 100 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRFB7430PBF MOSFET 1 Canal N 375 W TO-220Conrad Electronic Prix HT 140 pièces en stock Livraison avant le mar. 22 sept. Min: 10 | TO-220 | 3.9 V | 14240 pF | 100 A | 1.3 mΩ | 375 W | trou traversant | 40 V | Canal N | - | - | |||
Infineon Technologies IRF540NSPBF-GURT MOSFET 1 Canal N 130 W D2PAKConrad Electronic Prix HT 6810 pièces en stock Livraison avant le mar. 22 sept. Min: 10Lots: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.044 Ω | 130 W | montage en saillie | - | Canal N | - | - | |||
![Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] Jeu de MOSFET/IGBT](https://asset.conrad.com/media10/isa/160267/c1/-/fr/1484608_GB_00_FB/kemo-power-mosfet-igbt-transistoren-s106-jeu-de-mosfet-igbt.jpg?x=600) Similaire à la photo Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] Jeu de MOSFET/IGBTConrad Electronic Prix HT 82 sets en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 Prix HT Bientôt disponible Min: 10 | TO-92 | - | - | - | - | - | - | - | Canal N | RoHS | - | |||
Vishay IRFP240PBF MOSFET 1 Canal N 150 W TO-247AC TubeConrad Electronic Prix HT 345 pièces en stock Livraison avant le mar. 22 sept. Min: 5Lots: 5 | TO-247AC | - | - | - | 0.18 Ω | 150 W | trou traversant | 200 V | Canal N | - | Tube | |||
 Similaire à la photo STMicroelectronics STP110N10F7 MOSFET 1 Canal N 150 W TO-220Conrad Electronic Prix HT 520 pièces en stock Livraison avant le mar. 22 sept. Min: 10Lots: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.007 Ω | 150 W | trou traversant | - | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Vishay SUM110P06-07L-E3 MOSFET 1 Canal P 3.75 W TO-263-3Conrad Electronic Prix HT 23 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-263-3 | 3 V | 11400 pF | 30 A | 6.9 mΩ | 3.75 W | montage en saillie | 60 V | Canal P | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRFB4332PBF MOSFET 1 Canal N 390 W TO-220ABConrad Electronic Prix HT 11 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-220AB | 5 V | 5860 pF | 35 A | 33 mΩ | 390 W | trou traversant | 250 V | Canal N | - | - | |||
 Similaire à la photo Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-247Conrad Electronic Prix HT 123 pièces en stock Livraison avant le lun. 21 sept. | TO-247 | 4 V | 4000 pF | 59 A | 8 mΩ | 200 W | trou traversant | 55 V | Canal N | - | - | |||
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Littelfuse MKE38RK600DFEL-TRR MOSFET Bande sur bobine complèteConrad Electronic Prix HT Bientôt disponible Min: 200Lots: 200 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Bande sur bobine complète | |||
Prix HT 6500 pièces en stock Livraison avant le mar. 22 sept. Min: 100Lots: 100 | SOT-363 | - | - | - | - | - | montage sur circuit imprimé | - | - | AEC, RoHS | Bande sur bobine complète | |||
Prix HT Bientôt disponible | TO-220-FULLPAK | - | - | - | 0.65 Ω | 40 W | trou traversant | - | Canal N | - | - | |||
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Prix HT 2200 pièces en stock Livraison avant le mar. 22 sept. Min: 25Lots: 25 | SOIC-8 | - | - | - | 0.0105 Ω | 6.6 W | montage en saillie | - | Canal P | - | Bande sur bobine complète | |||
Prix HT Bientôt disponible Min: 50Lots: 50 | SOIC-8 | - | - | - | 0.14 Ω | 1.78 W | montage en saillie | - | Canal N, Canal P | - | Bande sur bobine complète | |||
Prix HT Bientôt disponible Min: 50Lots: 50 | SOIC-8 | - | - | - | 0.031 Ω | 1.7 W | montage en saillie | - | Canal N | - | Bande sur bobine complète | |||
Vishay IRFPG50PBF MOSFET 1 Canal N 190 W TO-247AC TubeConrad Electronic Prix HT 760 pièces en stock Livraison avant le mar. 22 sept. Min: 5Lots: 5 | TO-247AC | - | - | - | 2 Ω | 190 W | trou traversant | - | Canal N | - | Tube | |||
 Similaire à la photo Diotec MD10P380 MOSFET Canal P 1 W SOT-26Conrad Electronic Prix HT Livraison avant le ven. 27 nov. Min: 3000Lots: 3000 | SOT-26 | -2.3 V | - | -1 A | - | 1 W | montage en saillie | -100 V | Canal P | RoHS | - | |||
 Similaire à la photo Diotec MD06P115-AQ MOSFET Power MOSFET 1.5 W SOT-26Conrad Electronic Prix HT Livraison avant le ven. 27 nov. Min: 3000Lots: 3000 | SOT-26 | -2.5 V | - | -4 A | - | 1.5 W | montage en saillie | -60 V | Power MOSFET | RoHS | - | |||
Conseils
Ce texte a été traduit par une machine.
Des connaissances intéressantes SUR LES MOSFET
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Que sont les MOSFET ?
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Informations intéressantes sur les MOSFET
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Quels sont les MOSFET disponibles chez Conrad ?
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Comment trouver le MOSFET adapté ?
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Que faut-il observer lors de la manipulation de MOSFET ?
Que sont les MOSFET ?
Un groupe de semi-conducteurs contrôlables est nommé avec MOSFET. La désignation est une abréviation de « transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique », en anglais « transistor à effet de champ à oxyde de métal » et se base sur la séquence de couche initiale du port de commande : l'aluminium a été utilisé pour cela. Cette connexion a ensuite été séparée du semi-conducteur par une couche de dioxyde de silicium non conductrice.
En raison de l'utilisation actuelle de matériaux semi-conducteurs high-tech, la désignation d'origine n'est plus techniquement correcte, car il n'y a plus d'aluminium, le matériau de porte d'origine. Cependant, le MOSFET a été conservé comme synonyme du nom de produit introduit. Aujourd'hui, le polysilicium doté est utilisé comme matériau de porte.
Le MOSFET est un composant actif avec au moins trois connexions :
- S pour source (source)
- D pour drain (drain)
- G pour porte (connexion de commande)
Certains types de construction disposent encore d'un connecteur B (bulk pour le substrat) qui permet d'obtenir des propriétés de commande supplémentaires.
L'état de sortie (sans tension à la porte) peut être « normal conducteur » ou « normalement bloqué » (ou vice versa). Cela se produit en raison de la « composition » chimique des matériaux utilisés comme type d'armature (= conducteur normal) ou comme type d'enrichissement (= blocage normal). En mettant une tension de commande sur la porte, le MOSFET quitte son état d'origine. Ainsi, le MOSFET est en fin de compte une résistance contrôlable par la tension. La variante « normalement verrouillable » est utilisée le plus souvent dans la pratique. Le comportement électrique d'un MOSFET est obtenu par des opérations dans les cristaux impliqués, où les supports de charge de migration assurent l'effet souhaité.
Une courbe caractéristique du comportement du MOSFET est générée avec certaines conditions environnementales électriques. Cela simplifie les conditions entre la source et la porte pour lesquelles la tension est « transmise ». Il en résulte également des valeurs capacitives qui ont une influence sur le comportement d'un MOSFET lorsqu'il est utilisé comme commutateur. Ils permettent une commutation très rapide et sont donc adaptés aux hautes fréquences, par exemple dans les alimentations à découpage.
Informations intéressantes sur les MOSFET
Le transistor bipolaire Insulated Gate ( IGBT , en allemand « transistor bipolaire avec électrode de porte isolée ») est une évolution du MOSFET pour une utilisation dans l'électronique de puissance. La puissance de ces composants s'étend jusqu'à la plage de plusieurs kilovolts, la plage de courant dépasse quelques kiloampères. Ces composants sont utilisés comme interrupteurs semi-conducteurs de puissance, par exemple dans les entraînements de moteur, les commandes de force de traction, les alimentations de commutation ou dans les systèmes d'alimentation sans coupure (UPS).
Quels sont les MOSFET disponibles chez Conrad ?
Dans notre boutique en ligne, vous trouverez un large choix de MOSFET sélectionnables selon différents critères techniques :
Dans notre boutique en ligne, vous trouverez un large choix de MOSFET sélectionnables selon différents critères techniques :
Boîtier d'enceinte
Une grande variété de modèles s'est établie ici. Les MOSFET sont proposés avec des connexions à souder et comme boîtier CMS. Presque tout le monde est un connecteur commun pour les dissipateurs thermiques ou les surfaces.
constructeur
L'abréviation de fabricant est un identifiant pour le fabricant, qui se compose principalement de trois lettres.
Type de montage
Des variantes sont disponibles avec trou de passage, montage en surface (SMT) ou boîtier. Ces derniers composants sont équipés de raccords à vis pour la connexion électrique et le montage. Veuillez noter que la longueur des vis de raccordement peut varier en fonction de l'application correspondante. Les vis de longueur adaptée avec rondelle et rondelle à ressort doivent être commandées séparément avec.
Température de fonctionnement maximale
Les MOSFET de notre gamme fonctionnent dans une plage de température maximale de 125 à 225°C.
P tot
Cette valeur définit la puissance maximale pouvant être convertie en chaleur dans le MOSFET sans détruire le semi-conducteur - de 0,225 milliwatt à 2 500 watts.
Modèle
Ce point de menu permet de sélectionner entre différentes conductions. Il existe également des MOSFET qui offrent différentes directions de conductivité dans un boîtier.
U(DSS)
Tension source Ddrain : résistance maximale de la tension du composant entre Ddrain et source.
R(DS)(on)
Drain-source on résistance : résistance du FET activé.
U(GS)(th) max.
Source de la porte Threshold tension : tension de la porte à partir de laquelle le transistor devient le moins conducteur.
C(ISS)
Small signal Input capacitance – la capacité de la porte : l'électrode de la porte d'un MOSFET forme une capacité d'entrée.
Les fiches techniques de chaque produit contiennent des informations détaillées sur tous les détails des MOSFET.
Comment trouver le MOSFET adapté ?
La première étape dans la sélection du module approprié pour une conception de circuit consiste à déterminer si un MOSFET canal N ou canal P doit être utilisé. Cela dépend de la tâche que doit accomplir le circuit.
De plus, il faut déterminer la tension maximale qui peut survenir entre drain et source. Notez que cette valeur varie en fonction de la température - tenez compte de l'ensemble de la plage de température autorisée pour le fonctionnement. La tension nominale du MOSFET doit avoir une plage de tolérance suffisante pour éviter une panne. D'autres aspects sont les vibrations rétroactives des moteurs ou des transformateurs.
Que faut-il observer lors de la manipulation de MOSFET ?
Respectez les règles générales relatives à la manipulation de certaines hauteurs de tension afin d'éviter les blessures causées par un choc électrique. Les travaux d'entretien de la tension de secteur doivent être effectués uniquement par des professionnels qualifiés. Avant de commencer le travail, débranchez l'alimentation électrique avec fusible pour éviter toute remise en marche accidentelle. En mode de fonctionnement, en particulier dans des conditions de développement ou de laboratoire, il convient de garantir une protection contre tout contact accidentel.
Chaque personne peut se charger de plusieurs 1 000 volts par mouvement. Souvent, peu de volts suffisent pour détruire les composants électriques actifs. Cela peut se produire dès que vous vous rapprochez. Il est recommandé de veiller à une mise à la terre sûre lors du travail avec des appareils de mesure ou des composants électriques de tous types.
Notre conseil pratique
Lors du remplacement de MOSFET soudés, maintenez les temps de soudage courts afin d'éviter toute destruction thermique. Utilisez la technique de soudage appropriée, en particulier l'accessoire de soudage adapté lors du dessoudage, pour protéger les cartes de circuits imprimés contre le décollement des conducteurs.
Respectez les indications de couple lors du vissage des éléments de refroidissement.
Les MOSFET sont sensibles aux personnes et objets chargés de manière statique. Fermez brièvement les électrodes jusqu'à ce qu'elles soient installées. Il suffit de les ranger dans une mousse conductrice ou dans des sacs de protection ESD.