Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 4.2 W SOIC-8 Bande sur bobine complète
Type d'emballage
Bande sur bobine complète
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOIC-8
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
4.2 W
Fiche technique (PDF)
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Nombre
Quantité minimale de commande: 50
Pièce(s): 50
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Points forts et détails
MOSFET Vishay SMD si_y-GE3 SO
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type d'emballage
Bande sur bobine complète
- Type
SI4447ADY-T1-GE3
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOIC-8
- Fabricant
Vishay
- Type
Canal P
- I(d)
-7.2 A
- UBR DSS
-40 V
- Puissance (max) P(TOT)
4.2 W
- R(DS)(on)
0.062 Ω
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Température de fonctionnement (max.)
150 °C
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Hauteur
0.00 mm
- Longueur
0 mm
- Largeur
0.00 mm
- Poids
0
- UKCA
oui
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3026543 Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 4.2 W SOIC-8 Bande sur bobine complète
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3026543 Vishay SI4447ADY-T1-GE3 MOSFET 1 Canal P 4.2 W SOIC-8 Bande sur bobine complète
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