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Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

Infineon Technologies IRFP250NPBF MOSFET 1 Canal N 214 W TO-247

EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Un composant électronique tripolaire avec des broches métalliques, typiquement un transistor de puissance, dans un boîtier en plastique noir.
Photo non contractuelle
Un composant électronique tripolaire avec des broches métalliques, typiquement un transistor de puissance, dans un boîtier en plastique noir.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-247
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
214 W
R(DS)(on)
75 mΩ
Fiche technique (PDF)
English
Infineon Technologies
Livraison le ven. 11 septembre

151 pièce(s)
Vente et expédition :
Conrad Electronic CGV

Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
2,74 €
10
8% = 0,21 €
2,53 €
25
10% = 0,28 €
2,46 €
50
12% = 0,34 €
2,40 €
100
15% = 0,40 €
2,34 €
250
17% = 0,47 €
2,27 €
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2,74 €
HT 
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Points forts et détails

MOSFET

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type

IRFP250NPBF

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-247

Fabricant

Infineon Technologies

Abrév. fab.

INF

Type

Canal N

I(d)

30 A

UBR DSS

200 V

Puissance (max) P(TOT)

214 W

R(DS)(on)

75 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

18 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

123 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

2159 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Série

HEXFET®

Température de fonctionnement (max.)

+175 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

200 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Description

200 V/30 A

Variantes(Les prix s'entendent HT hors frais de port)

Boîtier
R(DS)(on) Courant de référence
R(DS)(on)
U(DSS)
Puissance (max) P(TOT)
Type
C(ISS)
 
Infineon Technologies IRFP250NPBF MOSFET 1 Canal N 214 W TO-247
Infineon Technologies IRFP250NPBF MOSFET 1 Canal N 214 W TO-247

162642

 
Ce produit
TO-247
18 A
75 mΩ
200 V
214 W
Canal N
2159 pF
Vishay IRFP22N50APBF MOSFET 1 Canal N 277 W TO-247AC
Vishay IRFP22N50APBF MOSFET 1 Canal N 277 W TO-247AC

162640

 
TO-247AC
13 A
230 mΩ
500 V
277 W
Canal N
3450 pF
Vishay IRFP240 MOSFET 1 Canal N 150 W TO-247
Vishay IRFP240 MOSFET 1 Canal N 150 W TO-247

162641

 
TO-247
12 A
180 mΩ
200 V
150 W
Canal N
1300 pF
Vishay IRFP264PBF MOSFET 1 Canal N 280 W TO-247AC
Vishay IRFP264PBF MOSFET 1 Canal N 280 W TO-247AC

162645

 
TO-247AC
23 A
75 mΩ
250 V
280 W
Canal N
5400 pF
Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 Canal N 3.8 W TO-247
Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 Canal N 3.8 W TO-247

162652

 
TO-247
76 A
2.8 mΩ
30 V
3.8 W
Canal N
8250 pF
Vishay IRFP450APBF MOSFET 1 Canal N 190 W TO-247
Vishay IRFP450APBF MOSFET 1 Canal N 190 W TO-247

162657

 
TO-247
8.4 A
400 mΩ
500 V
190 W
Canal N
2038 pF
Vishay IRFP460PBF MOSFET 1 Canal N 280 W TO-247
Vishay IRFP460PBF MOSFET 1 Canal N 280 W TO-247

162659

 
TO-247
12 A
270 mΩ
500 V
280 W
Canal N
4200 pF
Infineon Technologies IRFP9140NPBF MOSFET 1 Canal P 140 W TO-247
Infineon Technologies IRFP9140NPBF MOSFET 1 Canal P 140 W TO-247

162662

 
TO-247
13 A
117 mΩ
100 V
140 W
Canal P
1300 pF
Infineon Technologies IRFPE40PBF MOSFET 1 Canal N 150 W TO-247
Infineon Technologies IRFPE40PBF MOSFET 1 Canal N 150 W TO-247

162671

 
TO-247
3.2 A
2 Ω
800 V
150 W
Canal N
1900 pF

Documents et téléchargements

Fiche technique

English

Fiche technique 162642 Infineon Technologies IRFP250NPBF MOSFET 1 Canal N 214 W TO-247

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 162642 Infineon Technologies IRFP250NPBF MOSFET 1 Canal N 214 W TO-247

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