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Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-247
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-247
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
8 mΩ
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
2,74 €
10
8% = 0,21 €
2,53 €
25
10% = 0,28 €
2,46 €
50
12% = 0,34 €
2,40 €
100
15% = 0,40 €
2,34 €
250
17% = 0,47 €
2,27 €
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Nombre
Total (2,74 € / unité(s))
2,74 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRFP064NPBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-247
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
110 A
- UBR DSS
55 V
- Puissance (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
8 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
59 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
170 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
4000 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
55 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Description
55 V/110 A
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 162637 Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-247
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 162637 Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-247
Description
Un transistor Mosfet est un composant commandé en tension qui peut directement être branché à des sources à haute impédance. Il convient donc bien à une utilisation comme commutateur ou amplificateur analogique. Ce transistor est compatible µC, TTL et CMOS. Remarque : fabricants SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.