Photo non contractuelle
Photo non contractuelle
Infineon Technologies IRFB3306PBF MOSFET 1 Canal N 230 W TO-220AB
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
230 W
R(DS)(on)
4.2 mΩ
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
2,33 €
10
8% = 0,18 €
2,15 €
25
11% = 0,25 €
2,08 €
50
13% = 0,30 €
2,03 €
100
15% = 0,35 €
1,98 €
250
17% = 0,40 €
1,93 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
Économiser 0,00 €
Nombre
Total (2,33 € / unité(s))
2,33 €
HT
Livraison gratuite avec
Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Points forts et détails
Transistor unipolaire (MOSFET)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRFB3306PBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
120 A
- UBR DSS
60 V
- Puissance (max) P(TOT)
230 W
- R(DS)(on)
4.2 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
75 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
150 µA
- Q(G)
120 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
4520 pF
- Tension de référence C(ISS)
50 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
60 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 160926 Infineon Technologies IRFB3306PBF MOSFET 1 Canal N 230 W TO-220AB
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 160926 Infineon Technologies IRFB3306PBF MOSFET 1 Canal N 230 W TO-220AB