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Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 Canal N 200 W D2PAK
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
D2PAK
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
23 mΩ
Fiche technique (PDF)
Nombre
Total (1,08 € / unité(s))
1,08 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRF3710SPBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
D2PAK
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
57 A
- UBR DSS
100 V
- Puissance (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
23 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
28 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
3130 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
100 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Description
100 V/57 A
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 Canal N 200 W D2PAK
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 162398 Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 Canal N 200 W D2PAK