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Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220
Type
HEXFET
Puissance (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
22 mΩ
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
3
-
1,08 €
9
8% = 0,09 €
0,99 €
15
12% = 0,13 €
0,95 €
30
14% = 0,15 €
0,93 €
60
16% = 0,17 €
0,91 €
120
19% = 0,20 €
0,88 €
300
22% = 0,24 €
0,84 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
Économiser 0,00 €
Nombre
Quantité minimale de commande: 3
Total (1,08 € / unité(s))
3,24 €
HT
Livraison gratuite avec
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Points forts et détails
MOSFET
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRLZ44NPBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
HEXFET
- I(d)
47 A
- UBR DSS
55 V
- Puissance (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
22 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
25 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
48 nC
- Q(G) Tension de référence
5 V
- C(ISS)
1700 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Porte de niveau logique
- U(DSS)
55 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Description
55 V/41 A
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 162877 Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 162877 Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220