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Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

Infineon Technologies IRF1310NPBF MOSFET 1 Canal N 160 W TO-220AB

EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Deux composants électroniques noirs rectangulaires, chacun avec trois broches de connexion, disposés côte à côte sur la droite, probablement des transistors.
Photo non contractuelle
Deux composants électroniques noirs rectangulaires, chacun avec trois broches de connexion, disposés côte à côte sur la droite, probablement des transistors.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
160 W
R(DS)(on)
36 mΩ
Fiche technique (PDF)
English
Infineon Technologies
Livraison le ven. 4 septembre

72 pièce(s) (Dans la limite des stocks disponibles)
Vente et expédition :
Conrad Electronic CGV

Nombre

Total (0,69 € / unité(s))
0,69 €
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Points forts et détails

MOSFET

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type

IRF1310NPBF

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-220AB

Fabricant

Infineon Technologies

Abrév. fab.

INF

Type

Canal N

I(d)

42 A

UBR DSS

100 V

Puissance (max) P(TOT)

160 W

R(DS)(on)

36 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

22 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

110 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

1900 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Série

HEXFET®

Température de fonctionnement (max.)

+175 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

100 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Description

100 V/42 A

Variantes(Les prix s'entendent HT hors frais de port)

Boîtier
R(DS)(on) Courant de référence
R(DS)(on)
U(DSS)
Puissance (max) P(TOT)
C(ISS)
Type de montage
 
Infineon Technologies IRF1310NPBF MOSFET 1 Canal N 160 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF1310NPBF MOSFET 1 Canal N 160 W TO-220AB

162368

 
Ce produit
TO-220AB
22 A
36 mΩ
100 V
160 W
1900 pF
trou traversant
Infineon Technologies IRF1010NPBF MOSFET 1 Canal N 180 W TO-220
Infineon Technologies IRF1010NPBF MOSFET 1 Canal N 180 W TO-220

162362

 
TO-220
43 A
11 mΩ
55 V
180 W
3210 pF
trou traversant
Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 Canal N 160 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 Canal N 160 W TO-220AB

162397

 
TO-220AB
35 A
18 mΩ
100 V
160 W
2900 pF
montage en saillie
Vishay IRF510PBF MOSFET 1 Canal N 43 W TO-220
Vishay IRF510PBF MOSFET 1 Canal N 43 W TO-220

162402

 
TO-220
3.4 A
540 mΩ
100 V
43 W
180 pF
trou traversant
Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 Canal N 48 W TO-220
Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 Canal N 48 W TO-220

162404

 
TO-220
5.7 A
200 mΩ
100 V
48 W
330 pF
trou traversant
Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 Canal N 3.8 W TO-263-3
Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 Canal N 3.8 W TO-263-3

162410

 
TO-263-3
9 A
90 mΩ
100 V
3.8 W
920 pF
montage en saillie
Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 Canal N 130 W TO-220
Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 Canal N 130 W TO-220

162412

 
TO-220
16 A
44 mΩ
100 V
130 W
1960 pF
trou traversant
Vishay IRF610PBF MOSFET 1 Canal N 36 W TO-220
Vishay IRF610PBF MOSFET 1 Canal N 36 W TO-220

162414

 
TO-220
2 A
1.5 Ω
200 V
36 W
140 pF
trou traversant
Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 Canal N 82 W TO-263-3
Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 Canal N 82 W TO-263-3

162421

 
TO-263-3
5.4 A
300 mΩ
200 V
82 W
575 pF
montage en saillie
Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 Canal N 150 W TO-220
Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 Canal N 150 W TO-220

162424

 
TO-220
11 A
150 mΩ
200 V
150 W
1160 pF
trou traversant

Documents et téléchargements

Fiche technique

English

Fiche technique 162368 Infineon Technologies IRF1310NPBF MOSFET 1 Canal N 160 W TO-220AB

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 162368 Infineon Technologies IRF1310NPBF MOSFET 1 Canal N 160 W TO-220AB

Description

Un transistor Mosfet est un composant commandé en tension qui peut directement être branché à des sources à haute impédance. Il convient donc bien à une utilisation comme commutateur ou amplificateur analogique. Ce transistor est compatible µC, TTL et CMOS. Remarque : fabricants SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Description

Un transistor Mosfet est un composant commandé en tension qui peut directement être branché à des sources à haute impédance. Il convient donc bien à une utilisation comme commutateur ou amplificateur analogique. Ce transistor est compatible µC, TTL et CMOS. Remarque : fabricants SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

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Gedore
1 utilisation par client professionnel/particulier : 10 % de remise. Valable uniquement sur les articles de la marque Gedore immédiatement disponibles (statut de disponibilité vert). Valable jusqu'au 06/09/2026 sur conrad.fr. Non valable sur les commandes Marketplace (vendeurs tiers) et les articles non remisables. Non cumulable avec d'autres codes avantages. Une limitation de la quantité de vente peut être appliquée au cas par cas. Plus d'informations sur conr.fr/codeavantage
Condition spécifique pour les membres PRO : 15 % de remise sur les articles de la marque Gedore immédiatement disponibles (statut de disponibilité vert).

Fluke
Remise valable uniquement sur les articles remisables et en stock des marques Fluke, Pomona Electronics et Beha-Amprobe (statut de disponibilité vert). Offre valable jusqu'au 13/09/2026 sur conrad.fr (hors commandes via la Marketplace). Non cumulable avec d'autres codes avantages. Limité à un usage par client professionnel/particulier. Une limitation des quantités achetées pourra être appliquée au cas par cas. Non applicable sur les produits non remisables. Toutes les conditions d'utilisation des codes avantages sur la page : conr.fr/codeavantage

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