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Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 Canal N 160 W TO-220AB
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
160 W
R(DS)(on)
18 mΩ
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
2,33 €
10
8% = 0,18 €
2,15 €
25
11% = 0,25 €
2,08 €
50
13% = 0,30 €
2,03 €
100
15% = 0,35 €
1,98 €
250
17% = 0,40 €
1,93 €
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Nombre
Total (2,33 € / unité(s))
2,33 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRF3710
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
59 A
- UBR DSS
100 V
- Puissance (max) P(TOT)
160 W
- R(DS)(on)
18 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
35 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
120 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
2900 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
100 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Description
100 V/57 A
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 162397 Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 Canal N 160 W TO-220AB
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 162397 Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 Canal N 160 W TO-220AB
Description
Un transistor Mosfet est un composant commandé en tension qui peut directement être branché à des sources à haute impédance. Il convient donc bien à une utilisation comme commutateur ou amplificateur analogique. Ce transistor est compatible µC, TTL et CMOS. Remarque : fabricants SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.