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Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
IRF530N
MOSFET
TO-263-3
Infineon Technologies
INF
Canal N
17 A
100 V
3.8 W
90 mΩ
9 A
10 V
4 V
250 µA
37 nC
10 V
920 pF
25 V
-55 °C
montage en saillie
HEXFET®
+175 °C
Standard
100 V
1
1 pc(s)
100 V/15 A
Fiche technique 162410 Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 Canal N 3.8 W TO-263-3
Conseils d'utilisation et de sécurité 162410 Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 Canal N 3.8 W TO-263-3