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Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

Infineon Technologies IRFU9024NPBF MOSFET 1 Canal P 38 W I-PAK

EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Un transistor électronique noir avec trois contacts argentés, typiquement utilisé pour le contrôle et l'amplification des signaux.
Photo non contractuelle
Un transistor électronique noir avec trois contacts argentés, typiquement utilisé pour le contrôle et l'amplification des signaux.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
I-PAK
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
38 W
R(DS)(on)
175 mΩ
Fiche technique (PDF)
English
Infineon Technologies
Livraison le lun. 14 septembre

27 pièce(s)
Vente et expédition :
Conrad Electronic CGV

Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
3
-
0,73 €
9
8% = 0,06 €
0,67 €
15
12% = 0,09 €
0,64 €
30
14% = 0,10 €
0,63 €
60
16% = 0,12 €
0,61 €
120
19% = 0,14 €
0,59 €
300
22% = 0,16 €
0,57 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
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Points forts et détails

HEXFET/FETKY

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type

IRFU9024NPBF

Type de produit

MOSFET

Boîtier

I-PAK

Fabricant

Infineon Technologies

Abrév. fab.

INF

Type

Canal P

I(d)

11 A

UBR DSS

55 V

Puissance (max) P(TOT)

38 W

R(DS)(on)

175 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

6.6 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

19 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

350 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Série

HEXFET®

Température de fonctionnement (max.)

+150 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

55 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Description

60 V/1.6 A

Variantes(Les prix s'entendent HT hors frais de port)

R(DS)(on) Courant de référence
R(DS)(on)
Puissance (max) P(TOT)
C(ISS)
 
Infineon Technologies IRFU9024NPBF MOSFET 1 Canal P 38 W I-PAK
Infineon Technologies IRFU9024NPBF MOSFET 1 Canal P 38 W I-PAK

162730

 
Ce produit
6.6 A
175 mΩ
38 W
350 pF
Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 Canal P 110 W I-PAK
Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 Canal P 110 W I-PAK

162729

 
16 A
65 mΩ
110 W
1200 pF

Documents et téléchargements

Fiche technique

English

Fiche technique 162730 Infineon Technologies IRFU9024NPBF MOSFET 1 Canal P 38 W I-PAK

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 162730 Infineon Technologies IRFU9024NPBF MOSFET 1 Canal P 38 W I-PAK

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