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Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 Canal P 200 W TO-220
EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Fiche technique (PDF)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
1
-
2,91 €
10
8% = 0,22 €
2,69 €
25
11% = 0,31 €
2,60 €
50
13% = 0,37 €
2,54 €
100
15% = 0,43 €
2,48 €
250
17% = 0,50 €
2,41 €
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Nombre
Total (2,91 € / unité(s))
2,91 €
HT
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Points forts et détails
MOSFET Power, canal p.
Nos services :
Caractéristiques techniques
- Type
IRF5210PBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal P
- I(d)
40 A
- UBR DSS
100 V
- Puissance (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
24 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
180 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
2700 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
100 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Description
-100 V/-40 A
Documents et téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 Canal P 200 W TO-220
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 Canal P 200 W TO-220