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Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 Canal P 45 W TO-220AB

EAN :
Ref. fabricant :
Code produit :
Deux composants électroniques noirs rectangulaires, chacun avec trois broches de connexion, disposés côte à côte sur la droite, probablement des transistors.
Photo non contractuelle
Deux composants électroniques noirs rectangulaires, chacun avec trois broches de connexion, disposés côte à côte sur la droite, probablement des transistors.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
45 W
R(DS)(on)
175 mΩ
Fiche technique (PDF)
English
Infineon Technologies
Livraison le lun. 14 septembre

525 pièce(s)
Vente et expédition :
Conrad Electronic CGV

Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (HT)
3
-
1,24 €
9
8% = 0,10 €
1,14 €
15
11% = 0,14 €
1,10 €
30
13% = 0,16 €
1,08 €
60
16% = 0,20 €
1,04 €
120
19% = 0,23 €
1,01 €
300
21% = 0,26 €
0,98 €
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
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Points forts et détails

MOSFET Power, canal p.

Nos services :

Caractéristiques techniques

Type

IRF9Z24NPBF

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-220AB

Fabricant

Infineon Technologies

Abrév. fab.

INF

Type

Canal P

I(d)

12 A

UBR DSS

55 V

Puissance (max) P(TOT)

45 W

R(DS)(on)

175 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

7.2 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

19 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

350 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Série

HEXFET®

Température de fonctionnement (max.)

+175 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

55 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Description

-60 V/-12 A

Variantes(Les prix s'entendent HT hors frais de port)

Boîtier
R(DS)(on) Courant de référence
R(DS)(on)
U(DSS)
Puissance (max) P(TOT)
C(ISS)
Type de montage
 
Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 Canal P 45 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 Canal P 45 W TO-220AB

162549

 
Ce produit
TO-220AB
7.2 A
175 mΩ
55 V
45 W
350 pF
trou traversant
Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 Canal P 200 W TO-220
Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 Canal P 200 W TO-220

162399

 
TO-220
38 A
20 mΩ
55 V
200 W
3400 pF
trou traversant
Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 Canal P 200 W TO-220
Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 Canal P 200 W TO-220

162406

 
TO-220
24 A
60 mΩ
100 V
200 W
2700 pF
trou traversant
Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 Canal P 3.8 W TO-263-3
Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 Canal P 3.8 W TO-263-3

162408

 
TO-263-3
16 A
60 mΩ
55 V
3.8 W
1200 pF
montage en saillie
Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 Canal P 79 W TO-220
Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 Canal P 79 W TO-220

162536

 
TO-220
8.4 A
200 mΩ
100 V
79 W
760 pF
trou traversant
Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 Canal P 140 W TO-220
Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 Canal P 140 W TO-220

162537

 
TO-220
11 A
117 mΩ
100 V
140 W
1300 pF
trou traversant
Vishay IRF9620PBF MOSFET 1 Canal P 40 W TO-220
Vishay IRF9620PBF MOSFET 1 Canal P 40 W TO-220

162540

 
TO-220
1.5 A
1.5 Ω
200 V
40 W
350 pF
trou traversant
Vishay IRF9630PBF MOSFET 1 Canal P 74 W TO-220
Vishay IRF9630PBF MOSFET 1 Canal P 74 W TO-220

162541

 
TO-220
3.9 A
800 mΩ
200 V
74 W
700 pF
trou traversant
Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 Canal P 3.8 W TO-220
Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 Canal P 3.8 W TO-220

162551

 
TO-220
10 A
100 mΩ
55 V
3.8 W
620 pF
montage en saillie

Documents et téléchargements

Fiche technique

English

Fiche technique 162549 Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 Canal P 45 W TO-220AB

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 162549 Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 Canal P 45 W TO-220AB

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